新型高效太阳能级多晶硅片的制备方法

摘要

本发明公开了新型高效太阳能级多晶硅片的制备方法，在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条；将硅原料装入石英坩埚内，把石英坩埚送进铸锭炉；调节加热器温度为1400‑1460℃，调节隔热底板的开度在4‑8cm，制得多晶硅；对多晶硅采用双向切割工艺、砂浆回流处理、过滤分离后制得回流多晶硅，将回流多晶硅与去离子水混合后形成混合溶液，经雾化、喷涂到坩埚的内壁上，干燥后即为新型高效太阳能级多晶硅片。本发明降低产品孪晶的界面能，提供转化效率的稳定性，使整锭硅片的平均电池效率达到17.7％以上，减少环境污染，又可降低生产成本，提高硅锭的成晶率。

主权项

新型高效太阳能级多晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条；将硅原料装入石英坩埚内，把石英坩埚送进铸锭炉；加热使硅原料完全熔化；长晶初期，调节加热器温度为1400‑1460℃，并将隔热底板迅速打开，调节隔热底板的开度在4‑8cm，沿坩埚底部纵向生长一层树枝状的晶体；长晶中后期，控制固液相的温度梯度，以底部树枝状的晶体为籽晶，保持平直的固液界面，竖直向上定向凝固生成含有大量孪晶的多晶硅；2)切片机的导轮槽锯为0.28‑0.30mm，多晶硅目标厚度120‑160μm，切割线采用固定磨料切割线；将多晶硅装入切片机，固定好多晶硅位置，预机循环；热机结束后，进行多晶硅切割，其中台速为0.3‑0.9mm/min，线速度为0‑15m/s，采用双向切割工艺；切片过程中使用切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；切割结束后，停机、下多晶硅，向切割后的多晶硅中加入砂浆，利用砂浆回流进行处理，过滤分离后制得回流多晶硅，并回收砂浆；3)将回流多晶硅与去离子水混合后形成混合溶液，混合溶液经过雾化后，喷涂到坩埚的内壁上，喷涂完毕后，坩埚内壁上形成一层混合溶液薄膜，水分蒸发完毕后，由混合溶液形成的薄膜层干燥完毕，坩埚表面形成结构致密的多晶硅层，即为新型高效太阳能级多晶硅片。