| 主权项 |
1.一种使用一媒体之直接超写入方法:(i)该媒体包含两交换耦合念RE-TM(稀土-过渡金属)非结晶层其居里温度几乎相同但仅其一为充满RE而无补偿温度,该两层为直接相叠或以中间层间接相叠以允许交换耦合之交置于其间,(ii)该两层之一于事先磁化于一方向,包含之步骤为:(a)相对于能源移动该媒体于偏磁场,以一层较另一层远离能源;(b)当记录数元资料之一时发射脉波能量至该媒体,以使该一层之温度于其居里温度以下,而另一层则接近或超过其居里温度;以及(c)当记录其它数元资料时发射脉波能量至该媒体以使该两层之温度接近或超过其居里温度。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该两层为一充满-TM层与一充满-RE层而无补偿温度。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该两层为一充满-RE具有补偿温度与一充满-RE而无补偿温度。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该能源为雷射源。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中于记录数元资料之一之步骤中,此一短至感应显着温度增减率于该两层中之持续期间之脉波经已发射。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中于记录其它数元资料之步骤中,此一长至不能感应显着温度增减率于该两层中之持续期间之雷射脉波经巳发射。7.一种直接超写入于媒体之磁光装置:(i)该媒体包含两交换耦合之RE-TM非结晶层,其居里温度实体上相同,但仅其一充满-RE而无补偿温度,该两层为直接相叠或以中间层间接相叠以允许交换耦合之交置于其间,(ii)该两层之一于事先磁化于一方向,包含:a)能以发射能量脉波之能源;b)产生偏磁场之设施;c)相对于能源移动该媒体于偏磁场,以一层较另一层远离能源之设施;以及(d)响应数元资枓信号以转换自该能源发射之能量脉波于第一脉波与第二脉波之间之设施-第脉波系使一层之温度保留于其居里温度以下而另一层之温度则为接近或超过其居里温度;而第二脉波则系使该两层之温度均接近或超过其居里温度。8.根据申请专利范围第7项之装置,其中该两层为一充满-TM历与一充满-RE层而无补偿温度。9.根据申请专利范围第7项之装置,其中该两层为一充满-RE其有补偿温度与一充满-RE而无补偿温度。10.根据申请专利范围第7项之装置,其中设能源为一雷射源。11.根据申请专利范围第7项之装置,其中该第一脉波具有此一矩持续期间以致感应显着之温度增减率于该两层中,以及该第二脉波具有此一长持续期间以不致感应显着之温度增减率于该两层中。12.一种供直接超写入之磁光媒体,包含两交换耦合之RE-TM非结晶层,其二层之居里温度几乎相同仅其一为充满-RE而无补偿温度,该两层为直接相叠或以中间层间接相叠以允许交换耦合之交置于其间。13.根据申请专利范围第12项之供直接超写入磁光媒体,其中该两层之一事先磁化于一方向。14.根据申请专利范围第12或13项之供直接超写入磁光媒体,其中该两层为一充满一TM层舆一充满-RE层而无补偿温度。15.根据申请专利范围第12或第13项之供直接超写入磁光媒体,其中该两层为一充满-RE层具有补偿温度与一充满- |
