| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征是具备有:内引线,其厚度约为引线框架之外引线之厚度之1/5-1/3;小片衬垫,其厚度与引线框袈之内引线相同;绝缘基板,用来接着小片衬垫,外引线之一部份和内引线;半导体元件,被接着和固定在小片衬垫上;线,用来连接半导体元件之结合衬垫和内引线;和封装,用来密封半导体元件,绝缘基板,外引线之一部份和内引线之部份。2.一种半导体装置之制造方法,其特征是在将绝缘基板接着到引线框架材料板之背面中央部份后,在该引线框架材料板之表面中央部份,利用半蚀刻法形成具有厚度约为引线框架材料板之厚度之1/5-1/3之内引线区域部份,或是在上述内引线区域部份形成在引线框架材料板之表面之后,使绝缘基板接着在引线框架材料板之背面中央部份,然后在引线框架材料板之内引线区域部份以外之部份,经由蚀刻法形成外引线,然后在内引线区域部份,经由蚀刻法于其中央部份形成小片衬垫,同时在其中央部份之周边形成具有厚度约为外引线之厚度之1/5-1/3之内引线,将半导体元件接着和固定在小片衬垫上,利用线来连接该半导体元件之结合衬垫和内引线,然后利用密封材料来密封半导体元件,绝缘基板,外引线之一部份和内引线,藉以制成半导体装置。3.一种半导体装置之制造方法,其特征是在将绝缘基板接着到引线框架材料板之背面中央部份后,在该引线框架材料板之表面中央部份,利用半蚀刻法形成具有厚度约为引线框架材料板之厚度之1/5-1/3之内引线区域部份,然后将引线框架材料板之内引线区域部份以外之部份和绝缘基板压接在一起用来形成外引线,然后在内引线区域部份,经由蚀刻法于其中央部份形成小片衬垫,同时在其中央部份之周边形成具有厚度约为外引线之厚度之1/5-1/3之内引线,将半导体元件接着和固定在小片衬垫上,利用线来连接该半导体元件之结合衬垫和内引线,然后利用密封材料来密封半导体元件,绝缘基板,外引线之一部份和内引线,藉以制成半导体装置。4.一种半导体装置,其特征是具备有:内引线,其厚度约为薄膜载体之指状物之外引线之厚度之1/3-1/2;绝缘基板,用来接着指状物之外引线之一部份及内引线;半导体元件,其结合衬垫连接在内引线:和封装,用来密封半导 |
