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1.一种制造半导体装置的方法,在配置于半导体基体之表面部分的槽沟之一边侧壁上构成一隔离层,及至少有两个由该隔离层分隔的作用区,包含的步骤为:在该半导体基体上构成一照相抗蚀剂模;于移去该残留的照相抗蚀剂之后,构成一薄绝缘膜,并将氮化矽膜聚积在该薄绝缘膜上;将聚积在该槽沟的该等侧壁上的氮化砂膜移去;导入无氮化矽膜之杂质到该等侧壁,以构成一逆转保护层;在该等侧壁上构成绝缘膜以为隔离,并无因该半导体基体氧化之氮化矽膜;移去该氮化矽膜与该薄绝缘膜;及穿过一配置于该半导体基体表面部分之上的薄绝缘膜,以离子植入构成杂质扩纹层。2.一种半导体装置包含:一半导体基底其具有一表面,至少一凹槽形成在该表面,该凹槽具有一底部和两个以一角度延伸至表面之侧壁;一絮一杂质扩散区域,其形成在邻近该凹槽之半导体基底之表面;一第二杂质扩散区域,其形成在邻近该凹槽之底部;和一绝缘层区域,其形成在该凹槽之至少一侧壁中,界于该第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域之间。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,进一步包含一逆转保护层区域,在该绝缘层区域之后且界于第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区城之间。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该绝缘层区域包含一绝缘层和一形成在该绝缘层上以提供一电压选择之一电极以使该第一和第二杂质扩散区城互相绝缘。5.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中该凹槽之至少一侧壁倾斜的延伸至半导体基底之表面。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,进一步包含一逆转保护层区域,在该绝缘层区域立后且界于第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域之间。7.如申请专利范围第6项所述之半导体装置,其中该绝缘层区域包含一绝缘层和一形成在该绝缘层上以提供一电压选择之一电极以使该第一和第二杂质扩散区域互相绝缘。8.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其中该绝缘层区域之一部份形成在半导体基底之表面,而一部份形成在该凹槽之底部。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置,进一步包含一逆转保护层区域,在该绝缘层区域之后且界于第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域之间。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其中该绝缘层区域包含一绝缘层和一形成在该绝缘层上以提供一电压选择之一电极以使该第一和第二杂质扩散区域互相绝缘。11.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中设绝缘层区域之一部份形成在半导体基底之表面,而一部份形成在该凹槽之底部。12.如申请专利范围第11项所述之半导体装置,进一步包含一逆转保护层区域,在该绝缘层区域之后且界于第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域之间。13.如申请专利范围第12项所述之半导体装置,其中该绝缘层区域包含一绝缘层和一形成在该绝缘层上以提供一电压选择之一电极以使该第一和第二杂质扩散区域互相绝缘。14.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中有两个第一杂质扩散区域分别形成在该凹槽之相对侧边表面;且有两个绝缘层区域,其每个形成在该凹槽之相关侧壁之一中,界于相关的第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域间。15.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中有两个凹槽在该半导体基底表面;该第一杂质扩散区域乃位于凹槽间;有两个第二杂质扩败区域,其每个形成在相关凹槽之底部;和有两个绝缘层区域,其每个形成在相关己凹槽之侧壁上,界于第一杂质扩散区域和一相关的第二杂质扩散区域之间。16.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中每一杂质扩散区域包含一半导体电路元件并接触该绝缘层区域。 |
