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经营范围
发明名称
CRYSTALLIZING METHOD FOR AMORPHOUS SEMICONDUCTOR LAYER
摘要
申请公布号
JPH0555142(A)
申请公布日期
1993.03.05
申请号
JP19910237212
申请日期
1991.08.22
申请人
SONY CORP
发明人
NOGUCHI TAKASHI
分类号
H01L21/20;H01L21/336;H01L21/8244;H01L27/11;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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