| 主权项 |
1﹒一种磁心之制法,其特征为将织系非晶质合金构成的磁心本体,在换算25℃时单位水蒸汽量在5至500g/m^3范围的湿润氛围气中,加以戚@鶶B理者。3﹒如申请专利范围第1项磁心之制法,其中,磁心本体是将铁系非晶质合金的薄带加以卷绕或积层而得者。3﹒如申请专利范围第1或2项磁心之制法,其中,该湿润氛围气中的单位水蒸汽量为8─200g/m^3者。4﹒如申请专利范围第3项磁心之制法,其中,该湿润氛围气中的单位水蒸汽量为1-80g/m^3者。5﹒如申请专利范围第4项磁心之制法,其中,该湿润氛围气中的单位水蒸汽量为20─80g/m^3者。6﹒如申请专利范围第1或2项磁心之制法,其中,该湿润氛围气是在氮氛围气中形成者。7﹒如申请专利范围第1或2项磁心之制法,其中,该热处理温度是在Tx─20℃至Tx─100℃其中,Tx为结晶化温度)范围者。8﹒如申请专利范围第6项磁心之制法,其中,该热处理温度是在Tx一20℃-Tx一100℃(其中,Tx为结晶化温度)范围者。9﹒如申请专利范围第7项磁心之制法,其中,该热处理温度是在Tx─20℃至Tx─65℃范围者。10﹒一种磁心热处理方法,其特征为,将磁性薄带卷成磁心本体,于热处理之际,测定自每批材料中任意取样的磁性薄带居里温度,将此测定温度値,与预先制成的目标透磁率时,热处理温度相对应的居里温度値相比较,以决定热处理温度最适値者11﹒如申请专利范围第10项之磁心热处理方法,其中,热处理温度最适値是由T(℃)=1﹒634xTc(℃)─204﹒77(式中,T为得目标透磁率的热处理控制温度,Tc为居里温度)算出者。12﹒如申请专利范围第10项之磁心热处理方法,其中,热处理温度最适値是由T(℃)=1﹒363xTc(℃)─99﹒88(式中,T为得目标透磁率的热处理控制温度,Tc为居里温度)算出者。13﹒一种磁心热处理方法,其特征为,将磁性薄带卷烧或积层,做为磁心本体,于热处理之际,测定自每批材料中任意取样的磁性薄带之微分结晶化温度,将此测定温度値,与预先制成的目标透磁率时,热处理温度相对应的微分结晶化温度値相比较,以决定最适热处理温度者。14﹒如申请专利范围第13项之磁心热处理方法,其中,热处理温度最适値是由T(℃)=1﹒149Tx1d—138﹒43(式中,T为得目标透磁率的热处理控制温度,Tx1d为第一微分结晶化温度)算出者。15﹒如申请专利范围第13项之磁心热处理方法,其中,热处理温度最适値是由T(℃)=0﹒953Tx1d─41﹒49(式中,T为得目标透磁率的热处理控制温度,Tx1d为第一微分结晶化温度)算出者。16﹒一种磁心热处理方法,其特征为,将磁性薄带卷烧或积层,做为磁心本体,于热处理之际,测定自每批材料中任意取样的磁性薄带之结晶化高峰温度,将此测定温度値,与预先制成的目标透磁率时,热处理温度相对应的结晶化高峰温度値相比较,以决定最适热处理温度者。17﹒如申请专利范围第16项之磁心热处理方法,其中,该结晶化温度是采用示差扫描热量测定法求出之结晶化发热高峰温度者。18﹒如申请专利范围第16项之磁心热处理方法,其中,热处理温度最适値是由T(℃)=0﹒928Tx1─31﹒86(式中,T为得目标透磁率的热处理控制温度,Tx1为第一结晶化发热高峰温度)算出者。19﹒如申请专利范围第16项之磁心热处理方法,其中,热处理温度最适値是由T(℃)=0﹒766Tx1+49﹒06(式中,T为得目标透磁率的热处理控制温度,Tx1为第一结晶化发热高峰温度)算出者。 |
