| 主权项 |
1﹒一种离子布植装置(10)包含:a)一离子源(12)发射出离子,用以处理在一离子布植站中之一片或多片晶b)一束分解器(14),用以使具适当质量之离子,沿至该离子布植站之束路径行进,并使其他离子在到达离子布植室前,离开该束路径;及c)工件支架结构(40),用以支撑在离子布植站中之一片或多片晶片;其特征为:d)控制机构(83)耦合至束分解器,当处理晶片时,于布植时段中,用以作动该束分解器,并当晶片不被处理之其他时段,能调整该束分解器;及e)一离子收集极(120),用以当晶片不被处理之其他时段中,中途截断来自该源之离子。2﹒如申请专利范围第1项所述之离子布植装置,其中,该束分解器包含一用以产生磁场之磁体,其可导引适当质量之离子沿一至布植站之行进路径行进;其中,该控制机构包含用以控制该磁体场强度之机构,以便当不处理晶片之其他时段,能够导引离子至该离子收集极中。3﹒如申请专利范围第2项所述之离子布植装置,其中,该离子收集极包含一感应(130),用以量测到达该收集极之离流,以用以校正离子束之特性。4﹒如申请专利范围第3项所述之离子布植装置,其中,该离子收集极包含一可动器(130),其系为一安排在该可动器上之液体冷却剂所冷却,以散发由撞击该可动感应器所造成之热量。5﹒如申请专利范围第1项所述之离子布植装置,包含用以订定自离子源至工作支构之真空束传送区域之架构,机构(74,76)用以保持上述束传送区域于低压及阀机构(126)用以使该离子极与真空束传送区域分开,以允许该收集极在不必对填空束传送区域加压能够分解。6﹒一种以控制好之离子浓度,对一片或目标晶片布植之方法,包含下列步骤:a)把一片或多片晶片定位在布植中,并允许离子沿着一布植曲线路径片撞击;b)使离子自离子源射出,并沿起始曲线路径行进;及c)产生一磁场,以把适当质量子,自起始曲线路径分开至布値曲线路径;其特戚@x为:d)当晶片之离子布植停止时,调整该磁场,使该离子束撞击一远癒@鬻G植站之离子收集极。7﹒如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该磁场系被调整当为离子布植停止之时段时,让离子沿起始曲线路径行进至离子收集极。8﹒如申请专利范围第6项所述之方法,其中该定位步骤包含把目标晶片移入布植室(22)中,支撑晶片以便移动并垂直移动晶片沿一造成其为来自离子源之离子所撞击之路径。9﹒离子布植装置包含:a)一离子源(12)用以发射使用于离子布植站中处理晶片之离子;b)加速机构(80)用以加速来自离子源沿一第一行径路径之离子;c)一分解磁场(14)用以把具适当质量之离子,自第一行径路径分离,而至一引至离子布植站之布値曲线路径,并用以反射其他离子至非布植曲线路径;及d)工件支撑架构(40用以于离子布植站中,支撑一或多片晶片,其特征为e)控制机构(33)耦合至分解磁场,用以调整当不处理晶片时,当分析磁场所产生之磁场,使所有之离子沿非布植曲线路径行进;及f)离子控制器机构(120)相对定位于磁场,以中途截断来自该源之离子沿非布植曲线路径行进。10﹒如申请专利范围第9项所述之离子布植机构,其中该控制机,当不处理晶片时,能为分析磁场去磁,使所有离子沿第一行进路径行进,其中该离子收集极机构包含定位于用以中断沿第1行进路径移动离子之架构。11﹒如申请专利范围第9项所述之离子布植装置,其中该分析磁场包含一磁铁外壳,而其中离子收集极机构包含耦合至磁场外壳之机构,用以中途拦截较重或较轻之离子,而不是搁截具适当质量之离子。12﹒如申请专利范围第10项所述之离子布植装置,其中该架构排定以中途拦截沿第一行进路径行进之离子,包含一具目标板(130)之可分离容器(132),以中途拦截离子并且更包含用以监督离子束电流撞击至目标板之机构。图示简单说明:图l系用以导引离子束以撞击例如矽晶片之工件之离子布植机之概略图;及图2系一离子束分析器或分解磁场及相关离子束收集极或束集器之放大平面图 |
