| 主权项 |
1﹒一种用以形成样式化图型之方法,该方法包含:a﹒在基底上形成单一阻层,该阻层具有一厚度;b﹒将该阻选择性地曝光于第一能量源而予以接式化用以改变部分阻之显影特性,留置一些厚度未于予曝;以及c﹒将该阻显影。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该显影系利用第二能量源及一种显影拭剂而实施。3﹒如申请专利范围第2项之方法,其中该第一及第二能量源皆系紫外线。4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该阻系以丙烯酸为基质。5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该阻并未含有敏化剂。6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该阻中加入一种染料以避免将欲留置为未曝光之一些厚度予以曝光。7﹒如申请专利范围第2项之方法,其中该显影试剂包含氧。8﹒如申请专利范围第2项之方法,其中该显影试剂包含氢。9﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该样式化步骤在无氧环境中进行。10﹒如申请专利范围第9项之方法,其中系利用气清除以制造无氧环境。11﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该基底具有复数层。12﹒如申请专利范围第1项之方法,其中在显影步骤之前于该阻之未改变特性之区域中扩放一种扩散试剂。13﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该改变显影特性系藉由交联而实施。14﹒如申请专利范围第12项之方法,其中该扩散试剂含有矽。15﹒如申请专利范围第12项之方法,其中该扩散试剂含有钛。16﹒一种元件,其包含:a﹒一基底;b﹒一阻层,其覆于该基底上;以及c﹒一种能量吸收染料,其在该阻中。17﹒如申请专利范围第16项之方法,其中该能量系光子。图示简单说明:图l系在基底上形成阻层之剖面图;图2系交联区域形成之剖面图;图3系在本发明第一较佳实施例中试剂暴露之剖面图; |
