| 主权项 |
1﹒热处理由多个陶瓷片制成之多层陶瓷物件之方 法,该等陶瓷片包含可挥发 之有机结合剂及具有由一种图理所界定之内部导 体成份,该图型系由含有 至少为其一部份之导体金属氧化物之印刷组合物 制成,该方法包括:a加 热该物件之完全移除该有机结合剂;b再加热该步 骤a之物件以还原导体 金属氧化物;及c最后加热该步骤b之物件以烧结该 陶瓷及制成多层物件 ;d该改良在于其中至少步骤c之加热空气包含0﹒5% 至3﹒0%之水 之量之水份;及e其中经焙烧之陶瓷物件呈现改进 之传导性及介电特性之 结合,无碳质之含入及无因金属含入之污点;其中 导体成份包含铜及导体 金属氧化物包含铜氧化物。 2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该水份系 存在于步骤a及c。 3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该水份系 存在于步骤a,b及c。 4﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤a,b及c 系连续实施而无中 间之冷却及加温步骤。 5﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该水份系 由氢及氧之催化反应所产 生。 6﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该有机结 合剂系自包含下列之组中 选出者:纤维素衍生物,乙烯聚合物及共聚物,及丙 烯及/或甲其丙烯酸 及/或酸酯聚合物及共聚物。 7﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中供步骤a之 加热空气为一种氧化空 气,供步骤b上加热空氧为一种还原空气及供步骤c 之加热空气为一种中 性空气。 8﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中除上所述 之水份外,步骤a之空气 含有2%至20%之组;步骤b之空气含有1%至10%之氢;及步 骤c 之空气含有主要为氮之空气。 9﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该水份系 以1%至2%范围存在。 10﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤a系 在最高可达500℃之 温度实施,步骤b系在最高寸达485℃之温度实施及 步骤c系在最高 可达920℃之温度实施。 11﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤a至c 之实施可在24小时 或较少之时间内完成。 12﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤a之 空气含有2%至5%之 氧。 13﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤b之 空气含有1%至5%之 氢。 14﹒根据申请专利范围第1项上方法,其中该水份于 步骤c中系以2%之量 存在。 15﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中步骤a外 该加热空气中系以少至 1%之氧实施。 16﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中步骤a在 该加热空气中系以少至 1%之氧实施。图示简单说明: 图1为说明本发明当以连续形式实施 时包括温度与与空气参数之加热处理之曲 线图。 图2为说明本发明还原加热阶段之还 原增加率与已知之不存在水份之还原步骤 相比较之曲线图。 图3为说明类似于图2之自配置于预 行焙烧直接暴露于空气之氧化铝基材上铜 /铜氧化物糊胶之加热所得相比较之结果 之曲线图。 图4为说明供本方法实施之代表性系 统之流程图。 |
