发明名称 积体电路之可靠的接线黏着方法(二)
摘要 一种积体电路之可靠的接线黏着方法,其中该积体电路元件的制程包括:形成元件区;形成电晶体元件;形成金属层前的隔绝作用二氧化矽层;形成金属接触窗;形成扩散障碍薄层;形成金属层;形成金属层后的隔绝保护层;以及形成焊垫区域;该种积体电路之可靠的接线黏着方法即包括:在形成电晶体元件时,同时在焊垫区域中形成复晶矽层;以及在形成金属接触窗的步骤中,也同时在焊垫区域形成金属接触窗。
申请公布号 TW224181 申请公布日期 1994.05.21
申请号 TW082107279 申请日期 1993.09.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 吴德源;徐震球;张崇德;卢火铁
分类号 H01L21/02;H01L21/70 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1﹒一种积体电路之可靠的接线黏着方法,其 中该积体电路元件的制程包括下列的步骤 (a)形成复数个元件区;(b)形成复数 个电晶体元件;(c)形成一金属层前的隔 绝作用二氧化矽层;(d)形成复数个金属 接触窗;(e)形成扩散障碍薄层;(f)形 成单或复数个金用层;(p)形成一金属层 后的隔绝保护层;以及(h)形成复数个焊 垫区域;该积体电路之可靠的接线黏着方 法包括: (i)在步骤(b)中,同时在该些焊垫 区域中形成复晶矽层;以及 (j)在步骤(d)中,同时在该些焊垫 区域中形成金层接触窗。 2﹒如申请专利范围第1项所述之积体电路之 可靠的接线黏着方法,其中该步骤(e)包 括溅镀钛的步骤、以及进行一悚速高温步 骤,因此钛与焊垫区域中的复晶矽或复晶 金属矽化物会形成氮化钛/二矽化钛的扩 散障碍薄层。 3﹒如申请专利范围第1项所述之积体电路之 可靠的接线黏着方法,其中为溅镀钛及钛 化氮双层结构后并施以热处理步骤。 4﹒如申请专利范围第1项所述之积体电路之 可靠的接线黏着方法,其中扩散障碍薄层 为溅镀钛及钛钨(TiW)双层结构后并施以 热处理步骤。 5﹒如申请专利范围第1项所述之积体电路之 可靠的接线黏着方法,其中金属层是铝铜 合金、铝矽合金或任何导电度高之铝合金。图示 简单说明: 第1(a)至1(e)图是剖面示意图,绘示 一种传统积体电路元件的墓本制造流程。 第2图是一剖面示意圃,绘示依照本 发明一较佳实施例,一种积体电路之可靠 的接线黏着方法在焊垫区域形成一复晶矽 层的步骤。 第3图是一剖面示意图,绘示本发明 的积体电路之可靠的接线黏着方法.在焊 垫区域进行金属接触窗蚀刻的步骤。 第4图是一剖面示意图,绘示依照本 发明的积体电路之可靠的接线黏着方法, 所形成之最后积体电路元件结构。
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号
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