| 主权项 |
1﹒一种具有包含下列谱线之X─射线绕射图 形之膨胀层状氧化物物质: d(埃) 1/1o >32﹒2 非常强 12﹒13 ─12﹒66 弱─强 3﹒35─3﹒51 弱─强 其中该X─射线绕射图形包含了d(埃) 间距为:16﹒74﹒0(弱─中);6﹒11 0﹒24(弱);4﹒050﹒08(弱);及3﹒80 0﹒08(弱)之额外的绕射谱线,但是没 有任何一个该额外绕射谱线之强度较 12﹒13 ─12﹒66或3﹒35─3﹒51之间距谱线 者(无论何者具较高之强度)为强,且其 中该层状物具有包含下列莫耳关系之组合 物 X2O3 :(n)YO2 其中n为10到15,X系选自铝、硼、铁 和/或镓且Y为矽和/或锗。 2﹒根据申请专利范围第1项之膨胀层状氧化 物物质,其中该X─射线绕射图形包含下 列谱线: d(埃) 1/1o >32﹒2 非常强 12﹒41─0﹒25 弱─强 11﹒04─0﹒22 弱 9﹒280﹒19 弱 6﹒920﹒14 弱 4﹒480﹒09 弱─中 3﹒960﹒08 弱─中 3﹒570﹒07 弱─中 3﹒440﹒07 弱─强 3﹒350﹒07 弱 3﹒一种制备根据申请专利范围第1项之膨胀 层状氧化物物质之方法,包含了在膨胀该 合成材料的条件下将一种所合成之沸石材 料和一种有机膨胀剂接触,其中该合成材 料系具有包含下列谱线之x─射线绕射图 形: d(埃) I/Io 13﹒53─0﹒2 弱─非常强 12﹒38─0﹒2 中─非常强 11﹒130﹒2 弱─强 9﹒150﹒15 弱─强 6﹒890﹒15 弱─中 4﹒470﹒10 弱─中 3﹒950﹒08 弱─非常强 3﹒560﹒06 弱─中 3﹒430﹒07 中─非常强 3﹒360﹒05 弱─强 ,且该经合成物质系以包含下列步骤的方 法制备: (i)制备一种可以在结晶时形成该合成物 的反应混合物,该反应混合物包含硷金或 硷士族金属阳离子,矽石源、铝石源、水 与一选自杂环亚胺、环烷胺与金刚烷季铵 离子的有机导引剂;及 (ii)保持该反应混合物在结晶条件下,直 到该合成物的结晶形成。 4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中该 有机导引剂系选自六亚甲基亚胺、1,4 ─二氮杂环庚烷、氮杂环辛烷、胺基环己 烷、胺基环庚烷、胺基环戊烷、N,N﹒ N─三甲基─1─金刚烷铵离子、及N, N,N─三甲基─2─金刚烷铵离子。 5﹒一种经撑柱之层状氧化物物质,其于540 ℃在空气中虾烧6小时后具有下列x─射 线绕射图形: d(埃) I/Io >32﹒2 非常强 12﹒380﹒25 弱─中 10﹒91 0﹒22 弱─中 9﹒010﹒18 弱 6﹒880﹒14 弱 6﹒160﹒12 弱─中 3﹒930﹒18 弱─中 3﹒550﹒07 弱 3﹒420﹒07 弱─中 3﹒330﹒07 弱─中 其中该层状物具有包含下列莫耳关系之组 合物 X2O3:(n)YO2 其中n为10到150,x系选自铝、硼、铁 和/或镓且Y为矽和/或锗。 6﹒根据申请专利范围第5项之经撑柱氧化物 物质,其中该x─射线绕射图形包含了d (埃)间距低于12﹒380﹒25的额外谱线 ,但是没有任何一个该额外谱线具有比d (埃)间距在12﹒380﹒25或3﹒420﹒07 者(无论何者具较高之强度)更高的强度。 7﹒一种制备申请专利范围第5项之经撑柱层 状物质之方法,该方法包含下列步骤: (i)制备结晶时可以形成层状物的反应混 合物,该反应混合物包含有硷金或硷土族 金属阳离子,一矽石源含至少约30wt%固 体矽石,一铝氧化物,水及六亚甲基亚胺 (ii)保持该反应混合物在结晶条件下,直 到形成了层状物质的晶体; (iii)以将该层状物和一种膨胀剂接触来 膨胀步骤(ii)的该层状物;及 (iv)将该步骤(iii)的经膨胀物质和一支 撑剂接触,其中该反应混合物具有莫耳比 在下列范围内之组成: SiO2/Al2O3 =10至80 H2O/Sio2 =5至100 OH─/SiO2 ﹒=0﹒01至1﹒0 M/Sio2 =0﹒05至1﹒0 其中R代表六亚甲基亚胺,且M代表硷金 或硷金属,步骤(ii)之该层状物具有包含 下列谱线之x─射线绕射图形: d(埃) I/Io 13﹒53 ─0﹒2 中─非常强 12﹒38─0﹒2 中─非常强 11﹒13 0﹒2 弱─强 9﹒150﹒15 弱─强 6﹒890﹒15 弱─中 4﹒470﹒10 弱─中 3﹒950﹒08 弱中─非常强 3﹒560﹒06 弱─中 3﹒430﹒06 中─非常强 3﹒360﹒05 弱─强 其中步骤(iii)之经膨胀物质具有包含下 列谱线之x─射线绕射图: d(埃)﹒ I/Io >32﹒2 非常强 12﹒41 ─0﹒25 弱─强 3﹒44─11﹒07 弱─强 且其中该膨胀剂包含十六烷三甲基铵阳离 子,且该膨胀步骤(iii)在pH値为11至14 之范围进行。 8﹒根据申请专利范围第7项的方法,其中该 膨胀步骤(iii)在ph値为12﹒5至13﹒5之范 围进行。图示简单说明: 图1为可以膨胀且加以支撑的层状物 的照此方法合成的形式的X-射线绕射图 案; 图2为具有图1所示的x-射线绕射 图形的物质的膨胀形式的X-射线绕射图 形; 图3为具有图1所示的X-射线绕射 图形的层状物质的加以支撑的形式的X- 射线绕射图形;及 图4为具有图2所示的X-射线绕射 图形的膨胀物质的煆烧形式的X-射线绕 射图形 |
