辐射敏感之聚合物

摘要

本发明提供一类具有由凝胶渗透层析术测得分子量（Mw）为103-106之新颖聚合物，其包括占此聚合物内构造单位总数之100-10％莫耳的式Ⅰ之重覆构造单位CC (Ⅰ)其中A为式Ⅰa之基CC (Ⅰa)及90-0％莫耳的式Ⅱ之构造单位CC (Ⅱ)式中 R1为H、甲基或卤基， R2为H或甲基， R3为H、C1-C6烷基或C6-12芳基，及 R4为C1-C6烷基、未取代之C6-C12芳基或C6-C12芳基被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C6-C12芳基、卤基或硝基取代者，或为-OR5基，其中 R5为C1-C6烷基或C6-C12芳基，或其中 R3和R5合而为次丙基、次丁基或次戊基其未被取代或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C6-C12芳基或C6-C12芳氧基取代， R6首R7各分别为H、未取代之C1-C4烷基或C1-C4烷基其被卤基、氰基或硝基取代者，或为未被取代之苯基或基或苯基或基其各被卤基、C1-C4烷氧基、羟基、氰基或硝基取代者， R8和R9各分别为H或卤基、未取代之C1-C12烷基或C1-C12烷基其被卤基、氰基或硝基取代者；苯基、基或苄基，各未被取代或被卤基、羟基、氰基、硝基、C1-C4烷基或C1-C4烷氧基取代，或为选自-OR10、-COOR11和-COR12中之基，其中R10和R11各分别为H、未被取代之C1-C12烷基或C1-C12烷基其被卤基、氰基或硝基取代；未被取代之苯基或基或苯基或基其各被卤基、氰基、硝基、C1-C4烷基或C1-C4烷氧基取代，R12具有同如R10之意义R13／，亦为-N 基，其中R13和R14各分别有如R10＼R14之相同意义又提供含有这些辐射敏感聚合物的组成物，这些组成物特别适合制造积体电路。

主权项

1﹒一种由凝胶渗透层析术测得分子量(Mw) 为103─106之聚合物,该聚合物包括具式 I之重覆构造单位 其中A为式Ia之基 R1为H、甲基或卤基, R2为H或甲基, R3为H、C1─C6烷基或C6─C12芳基, 及 R4为C1─C6烷基、未被取代之C6─C12 芳基或C6─C12芳基其被C1─C4 烷基、C1─C4烷氧基、C6─C12芳 基、卤基或硝基取代者。 2﹒根据申请专利范围第1项之聚合物,其含 有100─25%莫耳之式I重覆构造单位。 3﹒根据申请专利范围第1项之聚合物,其中 在式I内之R1为H或甲基且─CH2─COOA 基在环上之对位,及在式Ia内之R2为 H或甲基,R3为H或C1─C4烷基以及 R4为C1─C4烷基。 4﹒根据申请专利范围第1项之聚合物,其中 在式I内R1为H或甲基,且─CH2─COOA 基在环上之对位,其中在式I内之R2和 R3各分别为H或甲基,以及R4为C1─ C4烷基。 5﹒根据申请专利范围第1项之聚合物,其中 在式I内R1为H或为甲基且─CH2─COOA 基在环上之对位,以及A为下式之基。 6﹒一种辐射敏感之组成物,其含有占成分a) 和b)总量之 a)80─99﹒5重量%的式I聚合物及 b)0﹒5─20重量%的一种在受到光化辐射 时产生酸之物质。 7﹒根据申请专利范围第6项之组成物,其含有 占成分a)和b)总量之 a)90─99﹒5重量%的式I聚合物及 b)0﹒5─10重量%的一种在受到光化辐射 时产生酸之物质。 8﹒一种制正像之方法,即 I﹒在底村上涂以一种根据申请专利范围 第6项之辐射敏感组成物, II﹒依预定图案用光化性光照射该被涂过 之底材,及 III﹒使该被照射过之底材显像。 9﹒根据申请专利范围第6项之组成物,系作 为制造印刷板、印刷电路或积体电路的阳 极抗蚀剂,及无银摄影软片。