| 主权项 |
1﹒一种式Ⅰ之化合物 其中 n系0或1; W系氢; X系CHOCH3或NOCH3 ; Y系氧,NR4或─O─NR4─; Z系氧,NOR7或N─NR8R9; R1系氢; R2与R1无关,系氢或C1─4烷基; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧碳基取代之C1 ─C6烷基; C2─C6烯基; C2─C6炔基; 未经取代或经C1─6烷基、卤素、烷氧 亚胺烷基,CF3 ,C1─6烷氧碳基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 苯基─C1─4烷基,其中苯基部份系未 经取代或经卤素,C1─6烷基、氰基或 C1─6烷氧基所取代; 唑基─C1─C4烷基,其中唑基部 份系未经取代或经苯基取代; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;或 六氢啶基; R4为氢或C1─4烷基;或者 R3与R4一起形成─(CH2)5─基团; R7系氢; 未经取代或经C1─6烷氧碳基,氰基或 苯氧基取代之C1─C4烷基,其中该苯 基部份可为未经取代或经卤素所取代; 未经取代或经卤素取代之C2─C4烯基 未经取代或经C1─6烷基或羟基取代之 嘧啶基; 苯基─C1─4烷基,其中该苯基部份系 未经取代或经卤素、C1─6烷基,CF3 、氰基或NO2所取代; 酸吩基─C1─C4烷基,其中该喷吩基 部份系未经取代或经卤素所取代;或 嘧啶基─C1─4烷基,其中该嘧啶基部 份系未经取代或经C1─6烷基或羟基所 取代; R8系氢,C1─4烷基,或未经取代或经 NO2取代之苯基; R9定义同R4,且与R8无关;及 保单键或双键。 2﹒根据申请专利范围第1项之化合物,式中 X系CHOCH3。 3﹒根据申请专利范围第1项之化合物,式中 X系NOCH3。 4﹒根据申请专利范围第1项之化合物,被 R1及R2取代之碳原子间之键系单键。 5﹒根据申请专利范围第1项之化合物,被 R1及R2取代之碳原子间之键系双键。 6﹒根据申请专利范围第1项之式Ⅰ化合物, 式中n系O且R3─(Y)n─C=Z系 7﹒根据申请专利范围第1项之式Ⅰ化合物, 式中n系1且R3─(Y)n─C=Z系 8﹒一种式Ⅱ之化合物 或 其中 W系氢; X系CHOCH3或NOCH3; Z系氧,NOR7或N─NR8R9; R1系氢; R2与R1无关,系氢或C1─4烷基; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧碳基取代之C1 ─C6烷基; C2─C6烯基; C2─C6炔基; 未经取代或经C1─6烷基、卤素,烷气 亚胺烷基,CF3,C1─6烷氧碳基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 苯基─C1─4烷基,其中苯基部份系未 经取代或经卤素,C1─6烷基、而其或 C1─6烷氧基烷氧基所取代; 唑基─C1─C4烷基,其中唑基部 份系未经取代或经苯基取代; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;或 六氢啶基; R4为氢或C1─4烷基;或者 R3与R4一起形成─(CH2)5─基团; R7系氢; 未经取代或经C1─6烷氧碳基,氰基或 苯氧基取代之C1─C4烷基,其中该苯 基部份可为未烃取代或经卤素所取代; 未经取代或经卤素取代之C2─C4烯基 未经取代或经C1─6烷基或羟基取代之 嘧啶基; 苯某─C1─4烷基,其中该苯基部份系 未经取代或经卤素、C1─6烷基,CF3. 氰基或NO2所取代; 喷份基─C1─C4烷基,其中该喷份基 部份系未经取代或经卤素所取代;或 嘧啶基─C1─4烷基,其中该嘧啶基部 份系未经取代或经C1─6烷基或羟基所 取代; R8系氢,C1─4烷基,或未经取代或经 NO2取代之苯基; R9定义同R4,且与R8无关。 9﹒一种式Ⅲ之化合物 其中 W系氢; X系CHOCH3,或NOCH3; Y系氧或NR4; R1系氢; R,系氢或C1─C4─烷基; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧碳基取代之C1 ─C6烷基﹒ 未经取代或经C1─6烷基、卤素、烷氧 亚胺烷基、CF3.C1─6烷氧碳基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 苯基─C1─C4烷基,其中该苯基部份 系未经取代或经卤素,C1─6烷基、氰 基或C1─6烷氧基所取代; 唑基─C1─4烷基,其中该唑基部 份系未经取代或经苯基所取代; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;或 六氢啶基;且 R4为氢或C1─C4─烷基; 或R3及R4一起形成─(CH2)5─基团。 10﹒根据申请专利范围第8项之化合物,式 中X系CHOCH3。 11﹒根据申请专利范围第8项之化合物,式 中X系NOCH3。 12﹒根据申请专利范围第9项之化合物,式 中X系CHOCH3。 13﹒根据申请专利范围第9项之化合物,式 中X系NOCH3。 14﹒一种式Ⅳ之化合物 其中 X系CHOCH3或NOCH3; Z系氧或NOR7; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧羰基取代之C1 ─C6烷基; C2─C6烯基; 未经取代或经C1─6烷基、卤素、烷氧 亚胺烷基、CF3.C1─6烷氧羰基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;或 六氢啶基;且 R7系氢, 未经取代或经C1─6烷氧羰基、氰基或 苯氧基取代之C1─C4烷基,其中苯基 部份系未经代或经卤素取代; 未经取代或经卤素取代之C2─C4烯基 苯基─C1─4烷基,其中该苯基部份系 未经取代或经卤素、C1─6烷基,CF3 、氰基或NO2所取代; 喷吩基─C1─4烷基,其中该喷吩基部 份系未经取代或经卤素所取代;或 嘧啶基─C1─4烷基,其中该略啶基部 份,系未经取代或经C1─6烷基或羟基 所取代。 15﹒一种式V之化合物 其中 X系C1IOCH3或NOCH3; Y系氧或NR4; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧羰基取代之 C1─6烷基; 未经取代或经C1─6烷基、卤素、烷氧 亚胺烷基、CF3.C1─6烷氧碳基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 苯基─C1─4烷基,其中该苯基部份系 未经取代或经卤素、C1─6烷基、氰基 或 C1─6烷氟基取代; 唑基─C1─4烷基,其中该唑基部 份系未经取代或经苯基所取代; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;或 六氢啶基;及 R4系氢或C1─C4─烷基。 16﹒根据申请专利范围第14项之化合物,式 中X系CHOCH3。 17﹒根据申请专利范围第14项之化合物,式 中X系NOCH3,。 18﹒根据申请专利范围第154项之化合物,式 中X系CHOCH3,。 19﹒根据申请专利范围第15项之化合物,式 中X系NOCH3。 20﹒一种杀真菌剂,其含有惰性载剂及杀真 菌量之式Ⅰ化合物 其中 n系0或1; W系氢; X系CHOCH3或NOCH3; Y系氧,NR4或─O─NR4─; Z系氧,NOR7或N─NR8R9; R1系氢; R2与R1无关,系氢或C1─4烷基; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧羰基取代之C1 ─C的烷基; C2─C6烯基; C2─C6炔基; 未经取代或经C1─6烷基、卤素、烷氧 亚胺烷基,CF3,C1─6烷氧羰基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 苯基─C1─4烷基,其中苯基部份系未 经取代或经卤素,C1─6烷基、氰基或 C1─6烷氧基所取代; 唑基─C1─C4烷基,其中唑基部 份系未经取代或经苯基取代; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;成 六氢啶基; R4为氢或C1─4烷基;或者 R3与R4一起形成─(CH2)5─基团; R7系氢; 未经取代或经C1─6烷氧羰基,而其或 苯氧基取代之C1─C4烷基,其中该苯 基部份可为未经取代或经卤素所取代; 未经取代或经卤素取代之C2─C4烯基 未经取代或经C1─6烷基或羟基取代之 嘧啶基; 苯基─C1─4烷基,其中该苯基部份系 未经取代或经卤素、C1─6烷基、CF3 、氰基或NO2所取代; 喷吩基─C1─C4烷基,其中该吩基 部份系未经取代或经卤素所取代;或 嘧啶基─C1─4烷基,其中该嘧啶基部 份系未经取代或经C1─6烷基或羟基所 取代; R8系氢,C1─4烷基,或未经取代或经 NO2取代之苯基; R9定义同R4,且与R8无关;及 系单键或双键。 21﹒一种控制真菌之方法,系使杀真菌量之 式Ⅰ化合物 其中 n系0或1, W系氢; X系CHOCH3或NOCH3; Y系氧,NR4或─O─NR4─; Z系氧,NOR7或N─NR8R9; R1系氢; R2与R1无关,系氢或C1─4烷基; R3系氢; 未经取代或经C1─6烷氧碳基取代之C1 ─C6烷基; C2─C6烯基; C,﹒─C"炔基; 未经取代或经C1─6烷基、卤素、烷氧 亚胺烷基,CF3,C1─6烷氧羰基或 C1─6烷氧基取代之苯基; 苯基─C1─4烷基,其中苯基部份系未 经取代或经卤素,C1─6烷基、氰基或 C1─6烷氧基所取代; 唑基─C1─C4烷基,其中唑基剖 份系未经取代或经苯基取代; 未经取代或经苯基取代之唑基; 吗基;或 六氢啶基; R4为氢或C1─4烷基;或者 R3与R4一起形成─(CH2)5─基团; R7系氢; 未经取代或经C1─6烷氧羰基,氰基或 苯氧基取代之C1─C4烷基,其中该苯 基部份可为未经取代或经卤素所取代; 未经取代或经卤素取代之C2─C4烯基 未经取代或经C1─6烷基或羟基取代之 嘧啶基 ; 苯基─C1─4烷基,其中该苯基部份系 未经取代或经卤素、C1─6烷基、CF3 、氰基或NO3所取代; 吩基─C1─C4烷基,其中该吩基 部份系未经取代或经卤素所取代;或 嘧啶基─C1─4烷基,其中该嘧啶基部 份系未经取代或经C1─6烷基或羟基所 取代; R8系氢,C1─4烷基,或未经取代或经 NO2取代之苯基; R9定义同R4,且与R8无关;及 系单键或双键, 作用于受真菌攻击威胁之真菌或植物,种 子或材质或作用于土壤。 |
