| 主权项 |
1﹒一种于基体上制备导电层之方法,其中此导电层包含具有式(I)之导电性自由基阳离子盐的结晶针网路:其中X是S,Se或Te,n之値为0﹒3至O﹒9,R1是为H,F,Cl或CH3,和R2,R3和R4为H,或R1,R2,R3和R4各为F或CH3,或R1和R2各为F,Cl或CH3,和R3和R4各为H,或R1和R3或R1和R4各为F以及R2和R4或R2和R3各为H,以及Y为Cl,Br,I或CuCl2,以及此网路是经嵌入一个聚合物基质中并将该基体之至少一面涂覆上以下之物(a)一种在惰性溶剂中含有如式(I)的自由基阳离子盐的结晶针之悬浮液且此惰性溶剂可含有溶解之热塑聚合物或至少一种热固聚合物之起始化合物,溶液之温度范围系由20至350℃,或(b)一种式(II)化合物之溶液(bI):其中,R1,R2,R3,R4和X是如以上所定义,(b2)为含氯、溴或碘之单体性、其聚性或聚合性之有机化合物,当其与式(Ⅱ)之化合物共热,将会形成式(I)之化合物基于悬浮液或溶液,或(I)或式(Ⅱ)化合物之浓度为0﹒1%重量比至20%重量比,或为去水之CuCl2,含水之CUCl2错合物或CuCl2之溶剂错合物,和(b3)为一惰性溶剂中含有一种热塑聚合物或含有至少一种热固聚合物之起始化合物者,接着将此溶剂在温度范围50至250℃之下蒸发,其制程包括在该基基体上以喷嘴喷洒(a)撼浮液或(b)溶液而涂敷该导电层,其中溶液的温度范围为50至350℃。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中喷嘴洞口之直径为0﹒1至10mm。3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中喷沫所需之压力是经一推进气体所产生的。4﹒如申请专利范围第3项之方法,其中该推进气体为氩或氮。5﹒如申请专利范围第3项之方法,其中该推进气体之压力为10^4至106Pa。6﹒如申请专利范围第3项之方法,其中该喷嘴压头之温度是由50至200℃。7﹒如申请专利范围第1项之方法,其中喷嘴压头至基体的距离为5至50cm。8﹒如申请专利范围第1项之方法,其中可同时使用一个或多一个喷嘴。9﹒如申请专利范围第3项之方法,其中热塑聚合物或热热固聚合物之起始化合物在溶液中之浓度为由0﹒2至30%重量比。10﹒如申请专利范围第3项之方法,其中基体在先前经加热。11﹒如申请专利范围第3项之方法,其中式(I)化合物系选自(四硫四)Cl0﹒5,(四硫四)Br0﹒5,(四硫四)I0﹒75,(四硒四)Cl0﹒5,(四硒四)Br0﹒5,(2─氟─或2,3─二氟四硫─或─四硒四)cl0﹒5,(2─氟─或2,3─二氟四硫─或四硒四)Br0﹒5和(四硫四)(CUCl2)0﹒4─0﹒6。12﹒如申请专利范围第1项之方法,其中热塑聚合物是选自聚烯烃,聚苯乙烯,聚氯乙烯,聚氯亚乙烯,聚氟亚乙烯,聚丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸酯,聚胺,聚酯,聚碳酸酯,芳香族聚,芳香族聚酯,芳香族聚酯,及聚亚胺及聚乙烯唑所组成的群体者。13﹒如申请专利范围第1项之方法,其中含氯、溴或碘的有机化合物和式(Ⅱ)化合物之比例为10:1至1:5。14﹒如申请专利范围第1项之方法,其中卤化有机化合物是六氯丙烯。15﹒如申请专利范围第1项之方法,其中有机化合物是为二(C1─C6烷基)铵氯化氢和添加H2O2水溶液同时使用。 |
