| 主权项 |
1﹒一种薄膜磁头,包括:一包括磁质材料所制成之第一及第二磁极层之磁轭,该轭包括磁极尖端及由该等磁极尖端所界定之转换间隙,该一磁极层包括一在最靠近于转换间隙之该轭之主要部份之末端处开始及前进至该磁极尖端之弯曲部份;一供连接于外部电路用之电气线圈;该纯系用包括线圈之主要部份及包括磁极尖端之漏抖状部份予以制成;一环绕该线圈之绝缘材料,该绝缘材料及该线圈系予以配置在该等磁极层之间;以及配置在该绝缘材料及该等磁极层之间之第一及第二定形薄膜,其该第一及第二定形薄膜分别包括第一及第二阶级,该等阶级相互于以间隔,让第一阶级系大约位于开始于与最靠近转换间隙之该轭之主要部份之末端处之区域,该第二阶级系大约位于该弯曲部份之中心之区域处。2﹒根据申请专利范围第1项之薄膜磁头,其中该主要部份之末端系与最靠近转换间隙之线圈之末端成大致对准。3﹒根据申请专利范围第1项之薄膜磁头,其中该轭之一磁极层系大致约3﹒5微米厚及该等定形薄膜系各约为0﹒80微米厚。4﹒根据申请专利范围第1项之薄膜磁头,其中该一磁极层之磁质材料之该等磁畴壁系予以对准及静磁应力系予以减至最小。图示简单说明:图l系一种薄膜磁显之典型先前技艺磁轭之P2磁极层之成断面之平面图;图2系根据本发明制成之磁轭之P2磁台层之成断面之平面图;及图3系使用根据本发明之双轭之薄膜磁转换器之横断面图。 |
