Bi-MOS logischer Schaltkreis zum Entladen der in einer parasitären Kapazität angesammelten Ladungen.,申请号DE19906009072-传众专利搜索

发明名称	Bi-MOS logischer Schaltkreis zum Entladen der in einer parasitären Kapazität angesammelten Ladungen.
摘要
申请公布号	DE69009072(D1)	申请公布日期	1994.06.30
申请号	DE19906009072	申请日期	1990.02.02
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA;TOSHIBA MICRO-ELECTRONICS CORP., KAWASAKI	发明人	UENO, MASAJI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, TOKYO 105;OFUSA, KUMI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, TOKYO 105
分类号	H03K3/286;H03K3/356;H03K19/00;H03K19/003;H03K19/08;H03K19/0944;(IPC1-7):H03K19/003;H03K19/082;H03K19/094	主分类号	H03K3/286
代理机构		代理人
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