发明名称 新颖3–筳二唑基–1,6– 啶衍生物
摘要 可当作苯骈二庚因受体作用剂之如下式(1)3-二唑-5,6,7,8-四氢-1,6-啶衍生物,或其制药容许酸加成盐□(Ⅰ)式中Het为唑二唑环,R1为为氢,醯基,低烷基或-CH2R1(其中R1为环低烷基,低烯基,低炔基,__基,芳基或杂芳基),R2为低烷基,环低烷基,低烯基,低炔基,芳基,杂芳基,卤低烷基,低烷氧低烷基,低烷氧基,低烯氧基,苯氧基或低烷硫基。
申请公布号 TW227562 申请公布日期 1994.08.01
申请号 TW082106850 申请日期 1993.08.24
申请人 大制药股份有限公司 发明人 大野一教;小田井修;古川清;冈真;永幸雄
分类号 C07D471/04 主分类号 C07D471/04
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1﹒一种如下式(1)3一二唑一5,6,7,8一四氢一1,6一啶化合物,或其制药容许酸加成盐式中Het为二唑环,R1为氢,醯基,低烷基或一CH2R1"(其中R1'为环低烷基,低烯基,基,苯基,取代苯基,基或含N,O或5之5或6员杂芳基),R2为低烷基,环低烷基,低烯基,苯基,取代苯基,基或含N,O或S之5或6员杂芳基,卤低烷基,低烷氧低烷基,低烷氧基,低烯氧基,苯氧基或低烷硫基。2﹒如申请专利范围第1项之化合物或其制药容许酸加成盐,其中R1为一CH2R1'(R1"为苯基,取代苯基,或含N,O或5之5员杂芳基),R2为低烷基,环低烷基,低烯基,苯基,取代苯基,含N,O或S之5员杂芳基或低烷氧基。3﹒如申请专利范围第2项之化合物或其制药容许酸加成盐,其中R2为C1─3烷基,环丙基,或C1─3烷氧基。4﹒如申请专利范围第3项之化合物或其制药容许酸加成盐,其中Het为1,3,4一二唑环。5﹒如申请专利范围第3项之化合物或其制药容许酸加成盐,其中Het为1,2,4一二唑环。6﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一基一3一(5一甲氧基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。7﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一(2一氯基)一3一(5一甲氧基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。8﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一(4一氯基)一3一(5一甲氧基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。9﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一(2一溴基)一3一(5一甲氧基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。10﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一(2一氯一5一氟基)一3一(5一甲氧基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。11﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一(2一溴一5一氟基)一3一(5一甲氧基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。12﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一基一3一(5一环丙基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。13﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6一基─3一(5一乙基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。14﹒如申请专利范围第4项之化合物,即6─基一3一(5一异丙基一1,3,4一二唑一2一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。15﹒如申请专利范围第5项之化合物,即6一基一3一(5一环丙基一1,2,4一二唑一3一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。16﹒如申请专利范围第5项之化合物,即6一基一3一(5一甲基一1,2,4一二唑一3一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。17﹒如申请专利范围第5项之化合物,即6一基一3一(5一乙基一1,2,4一二唑一3一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。18﹒如申请专利范围第5项之化合物,即6一基一3一(3一甲基一1,2,4一二唑一5一基)一5,6,7,8一四氢一1,6一啶一2(1H)一酮,或其制药容许酸加成盐。19﹒一种如下式5,6,7,8一四氢一1,6一啶衍生物或其盐式中 R1 为氢,醯基,低烷基或一CH2R1'(其中R1'为环低烷基,低烯基,基,苯基,取代苯基,基或含N,O或S之5或6员杂芳基),X为羧基,低烷氧羰基,氧羰基或基,但R1不为甲基)。20﹒一种如下式(Ia)1,6一啶衍生物或其盐之制法:式中R1及R2同申请专利范围第1项之定义,此制法包括令如下式(II)化合物予以分子内环脱水,式中R1同申请专利范围第1项之定义,R2'同R2,惟低烷硫基除外。
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