单晶制造装置及制造方法

摘要

本发明系关于一种矽等之单晶制造装置及使用该装置之单晶的制造方法，提供一种适合于单晶之污染或热氧化诱导积层缺陷较少，而有优异氧化膜耐压特性的单晶之制造或氧气浓度之精密控制的制造装置及制造方法者。本发明之目的：提供一种可避免对结晶中之混入污染物，不会损及结晶中之氧气浓度的精密控制，可形成在氧化膜耐压特性上优异之单晶之吊起成长的单晶之制造装置及制造方法。本发明之构成：（１）一种单晶制造装置，系围绕单晶之吊起领域之周围的圆筒或筒状之耐热隔热性构件７，具有将从金属室６上方所供给之惰性气体分岐成在该构件７之内侧与外侧流向下方的惰性气体３２之间隔ｈ１，从金属室６之顶壁部６ａ或侧壁６ｂ支持于该构件７之上端与上述金属室６之顶壁６ａ之间者。（２）一种单晶之制造方法，系在构件７之上端与金属室６之顶壁部６ａ之间设置可流通惰性气体的间隔ｈ１，将从金属室６上方所供给之惰性气体３０分岐成在该构件７之内侧与外侧流向下方的惰性气体３２之后，再使之合流者。

主权项

1.一种单晶制造装置,系属于具备:收容须成长之单晶之原料熔融液的坩埚,及加热该熔融液的加热机构,及在坩埚内之熔融液表面接触种结晶并成长单晶的吊起机构,及收容上述各构件的金属室等的单晶制造装置,其特征为:围绕单晶之吊起领域周围之圆筒或随着从上方向下方被缩径之筒状的耐热隔热性构件,以具有可将从金属室上方所供给之惰性气体分岐成在该构件内侧向下方流动之惰性气体与在该构件外侧向下方流动之惰性气体的间隔,而从金属室之顶壁部或侧壁上部支撑在该构件之上端与上述金属室之顶壁部之间者。2.如申请专利范围第1项所述之单晶制造装置,其中,上述耐热隔热性构件之安装构造为可调整该耐热隔热性构件之上端与金属室之顶壁部之间的间隔之构造者。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之单晶制造装置,其中,上述耐热隔热性构件之上端与金属室之顶壁部之间的间隔为5mm-100mm者。4.如申请专利范围第1或2项所述之单晶制造装置,其中,上述耐热隔热性构件为石墨制成,其表面以碳化矽施以涂层者。5.一种单晶之制造方法,系使用具备:收容须成长之单晶之原料熔融液的坩埚,及加热该熔融液的加热机构,及在坩埚内之熔融液表面接触种结晶并成长单晶的吊起机构,及收容上述各构件的金属室等的单晶制造装置的单晶之制造方法,其特征为:将围绕单晶之吊起领域周围之圆筒或随着从上方向下方被缩径之筒状的耐热隔热性构件配设在坩埚内之熔融液上方,在耐热隔热性构件之上端与金属室之顶壁部之间设置可流通惰性气体的间隔,将从金属室上方所供给之惰性气体分岐成在该构件内侧向下方流动之惰性气体与在该构件外侧向下方流动的惰性气体之后,合流所分岐之惰性气体者。6.如申请专利范围第5项所述的单晶之制造方法,其中,可谓整上述耐热隔热性构件之上端与金属室之顶壁部之间的间隔者。第1(a)图系表示本发明之单晶制造装置的纵剖面图,第1(b)图系表示其部放大图,第2图系表示耐热隔热性构件之保持状况之一例子的图式,(a)系表示纵剖面图,(b)系表示水平剖面图,(c)系表示所保持之耐热隔热性构件的斜视图。第3图系表示耐热隔热性构件之保持状况之其他例子的图式,(a)系表示纵剖面图,(b)系表示水平剖面图,(c)系表示所保持之耐热隔热性构件的斜视图。第4图系表示以往的单晶制造装置之一例子的纵剖面图,第5图系表示以往的单晶制造装置之其他例子的纵剖面图,第6图系表示捷可拉斯基法之实施状态的概略剖