发明名称 自具有至少一个面之金钢石体移除一定厚度的材料之方法
摘要 一种金钢石体,例如一CVD金钢石薄膜,经由在昇高之温度及在压力下,放置该本体与熔融或部份熔融合金相接触而变薄。该合金由一种烯土金属和能降低该稀土金属熔点之一种金属杂质组成。典型,该稀土金属是铈,而杂质是镍。压力典型是小于0.2MPa(百万巴斯噶),最好小于0.02MPa,而温度范围之下限是低于稀土加杂质金属的合金之熔点100℃。图1
申请公布号 TW238400 申请公布日期 1995.01.11
申请号 TW082100361 申请日期 1993.01.20
申请人 电话电报股份有限公司 发明人 尚荷.金;约翰.格雷伯勒;马克.麦柯梅克
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种自具有至少一个面之金钢石体移除一定厚度的材料之方法,包括下列步骤:(a)维持至少一部份的钻石面,与一种或一种以上之稀土金属,和含能降低稀土金属熔点之一种或一种以上金属杂质之熔融或部份熔融之金属合金呈直接自然之接触历一段经规定之持续时间,该合金具有溶解碳之性质;及(b)在经预限之持续时间期间,维持经熔融或部份熔融之合金在一预定温度范围内,该预定之温度范围具有一个较合金熔化温度以下100℃为高之下限,且该下限是高于合金加已溶之碳的部份熔化温度,因此,移除位于其部份的面上之一定厚度的钻石体。2.如申请专利范围第1项之方法,其中合金含有一种或一种以上之金属杂质的数量,系在2至50wt的范围内。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在步骤(b)期间,施加之压力是小于0.2MPa。4.一种利用如申请专利范围第1项之方法来制造装置组合体的方法,进一步包括:在步骤(b)后,利用化学蚀刻或机械抛光由金钢石体之表面上移除残余之金属之步骤,而后结合电子装置至部份的金钢石面上之步骤,以及结合热沈体至金钢石体上之步骤。图1是依照本发明特殊具体实施例予以蚀刻之金钢石膜之截面立面图,其中100表示所产生之组合体;10表示金钢石膜;11表示金属层;12表示
地址 美国