| 主权项 |
1.一种发光二极体之制造方法,其特征为包括有:在高温之下使p型或n型之半导体基板接触成长熔液之后,降低上述温度,以在上述半导体基板上面形成与上述半导体基板同型之单结晶之晶膜层,然后,再降低上述温度,俾在上述晶膜层上面形成与上述晶膜层反向型之单结晶的第1晶膜层之后,藉去除上述成长熔液来制成晶膜片;并在高温之下使成长熔液与上述晶膜片第1晶膜层相接触之后,再降低温度,俾在上述第1晶膜层上面形成与该第1晶膜层同类型之单结晶的第2晶膜层等步骤,晶膜片之成长温度为1020℃-700℃。2.一种发光二极体,系设有:p型或n型之半导体基板;单结晶之晶膜层,此晶膜层系与上述半导体基板同型,而在高温之下藉将该半导体基板接触于成长熔液之后形成于该半导体基板上面;第1晶膜层,此单结晶之第1晶膜层系与上述单结晶之晶膜层呈反向型,藉降低温度使其形成于该单结晶之晶膜层上面,藉再降低上述温度之后,去除该成长熔液而制成晶膜片;以及第2晶膜层,此单结晶之第2晶膜层系与上述1晶膜层同类型,而在高温之下,藉将该晶膜片之第1晶膜层接触于该成长熔液之后,形成于此第1晶膜层之上面,然后再降低温度所制成,晶膜片之成长温度为1020℃-700℃。第1图系表示本发明之Ga P绿色发光二极体之一实施例的剖面图。第2图系表示依液相晶膜法形成P-n接合所用之时序的一往例。第3图系表示依本发明之一实施例的晶膜层成长法之时序图。第4图(a)(b)系分别表示实施第3图之晶膜层成长法时所使用之舟皿的移动说明用剖面图。第5图系表示以往之Ga Al As红色发光二极体之剖面图。第6图系表示以往之Ga P绿色发光二极 |
