发明名称 超高纯度气体供给系统配管之熔接方法
摘要 本发明有关于半导体制造工场等之超高纯度气体供给系统配管之熔接方法。在藉电弧熔接之不锈钢管与不锈钢管之熔接中,从一方之不锈钢管之先端侧向内方放出背衬遮蔽气体,同时从电弧起动时机到一定时间之间令电弧起动时之熔接电流值,保持于较低于定常熔接电流值之值,而后将熔接电流提高至定常熔接电流值。其目的系以不特别的提高由背衬遮蔽气体所致之熔接部之内压,并且不会发生大量之粒子之下,实施超高纯度气体供给系统配管之熔接也。
申请公布号 TW243422 申请公布日期 1995.03.21
申请号 TW083105569 申请日期 1994.06.20
申请人 富士金股份有限公司 发明人 池田信一;森本明弘;诸士裕司
分类号 B23K9/167 主分类号 B23K9/167
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种超高纯度气体供给系统配管之熔接方法,主要系以电弧熔接实施不锈钢管与不锈钢管之熔接中,其特征为:从一方之不锈钢管之先端侧之开口,向内方放出背衬遮蔽气体,同时令电弧起动时之熔接电流値,于自电弧起动时机至一定时间之间,保持于较定常熔接电流値较低之値,而后将该熔接电流提升至定常熔接电流値者。2.如申请专利范围第1项所述之超高纯度气体供给系统配管之熔接方法,其中,令电弧起动时之熔接电流値为定常熔接电流値之20-30之値,同时将上述电弧起动时之熔接电流値在电弧起动之后保持1-3秒钟者。3.如申请专利范围第1项所述之超高纯度气体供给系统配管之熔接方法,其中,令流通于不锈钢管内之背衬遮蔽气体而将熔接部之内压保持于3-120mmHC_2CO者。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之超高纯度气体供给系统配管之熔接方法,其中,背衬遮蔽气体为氩气。5.如申请专利范围第1.2或3项所述之超高纯度气体供给系统配管之熔接方法,其中,上述电弧熔接系以氩气为电弧气体之TIG自动熔接者。第1图系本发明之熔接方法,及测定由熔接部所发生之粒子之测定方法之说明图。第2图系第1图之A部放大详细图。第3图系第1图之B部放大详细图。第4图系本发明之自动熔接装置之熔接电流曲线图。第5图系习用者之自动熔接装置之熔接电流曲线图
地址 日本
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