| 主权项 |
1.一种在含镁物品上形成使抗蚀性改进的涂层之方法,包括:(a)将物品在含有0.2至5莫耳的氟化铵,酸硷値为5至8及温度40至100℃无矽酸盐的第一步水溶液中处理使在物品的表面上产生实质上是连续的含氟化铵涂层以形成预处理的物品;(b)将预处理过的物品放入酸硷値至少为12.5的第二步电解水溶液中,该溶液包含:(i)2至12克/升的水溶性氧化物;(ii)2至15克/升含氟化物的水溶性组合物,是选自由氟化物,氟化矽酸盐及彼等的混合物等构成的族群;及(iii)5至30克/升的硷金属矽酸盐;(c)设定在由预处理过的物品构成的阳极与在电解溶液中的阴极之间的电位差至少100伏特以产生2至90毫安培/平方公分的电流密度,在此使物品上形成含有氧化矽的涂层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)的氢氧化物是硷金属氧化物。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)的含氟化物的组合物是选自由氟化钠,氟化钾,氢氟酸,氟化锂、氟化铷,氟化绝及彼等的混合物等构成的族群。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)的氟化矽酸盐是选自由氟化矽酸钾,氟化矽酸钠,氟化矽酸钾及彼等的混合物等构成的族群。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)的矽酸盐是选自由矽酸钾,矽酸钠,矽酸锂及彼等的混合物等构成的族群。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中第二步溶液的温度5至30℃。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)的电位差200至400伏特。8.根据申请专利范围第1项之方法,还包含使阳极及阴极与电源相连。字字根据申请专利范围第8项之方法,其中电源是一种经整流的交流电源。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中经整流的交流电源是一种脉动的全波整流电源。11.根据申请专利范围第1项之方法,还包含密封的含氧化矽涂层。12.根据申请专利范围第1项之方法,该方法实质上是不含铬(VI)。13.根据申请专利范围第1项之方法,以该方法涂覆含镁基片。14.一种在含镁物品上形成使抗蚀性改进的涂层之方法,包括:(a)将物品在含有0.2至5莫耳的氟化铵,酸硷値为5至8及温度40至100℃无矽酸盐的第一步水溶液中处理使在物品的表面上产生实质上是连续的含有金属铵的氟化物涂层以形成预处理的物品;(b)将预处理过的物品放入酸硷値至少为12.5的第二步电解水溶液中,该溶液包含:(i)2至12克/升的水溶性氢氧化物;及(ii)2至30克/升的硷金属氟化矽酸盐;(c)设定在由预处理过的物品构成的阳极与在电解溶液中的阴极之间的电位差至少100伏特以产生2至90毫安培/平方公分的电流密度,在此使物品上形成含有氧化矽的涂层。15.一种提供改良抗蚀性及抗磨性之含镁物品,该物品包含镁的基片,由金属铵氟化物所构成无矽酸盐的第一基层及由氧化矽与氧化镁构成的第二外层等。16.根据申请专利范围第15项之物品,其中金属铵氟化物包含氟化铵镁。17.根据申请专利范围第15项之物品,其中基层另外还包含金属铵氧化氟化物。18.根据申请专利范围第15项之物品,还包含配置于第二外层上第三密封层。19.根据申请专利范围第15项之物品,还包含配置于第二外层上的第四层末道涂层。20.根据申请专利范围第19项之物品,还包含配置于第三密层上的第四层末道涂层。21.根据申请专利范围第15项之物品,实质上是不含铬(VI)。图1是图解以本发明所涂覆的含镁物品。图2是本发明的方块图。图3是本发明电化学法的流程图。图4是在含镁的基片与按照本发明的涂层之间之扫瞄式电子显微镜 |
