| 主权项 |
1.一种半导体多层金属孔道偏移穿透防止方法,为在矽层上方依序形成:一覆盖复晶矽层之氧化层;一覆盖之硼磷玻璃层;一溅镀/光罩/蚀刻形成下层金属层;一沈积以两电浆氧化层夹合一液态绝缘层之三明治绝缘材料层;一实施金属孔道光罩以蚀刻形成与下层金属层相通之孔道;一溅镀上层金属,以填入孔道而使两层金属相通;其特征在于:在该形成下层金属层之前,更毛行沈积形成一适当厚度之蚀刻挡止层之步骤;及在进行孔道蚀刻时,为采用高选择蚀刻率之蚀刻剂进行;以在蚀刻剂接触至上述蚀刻挡止层时,即自动停止续继向下穿透,以自动限制孔道之蚀刻深度者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体多层金属孔道偏移穿透防止方法,其中该蚀刻挡止层之厚度约在1000-1500者。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体多层金属孔道偏移穿透防止方法,其中该蚀刻挡止层为氮化矽者。4.如申请专利范围第1或2项所述之半导体多层金属孔道偏移穿透防止方法,其中该蚀刻挡止层为氧氮化矽者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体多层金属孔道偏移穿透防止方法,其中该高选择性为指二氧化矽对氮化矽或氧氮化矽材料间之蚀刻比率。第一图:系传统多层金属元件之剖面图。第二图:系传统多层金属元件之孔道偏移状 |
