| 主权项 |
1. 一种电感—电容元件,其特征为具备有形成于半导体基座表面上之既定形状之电感器电极,和为前述半导体基座之一部份,沿着前述电感器电极之位置形成之既定形状之pn接合层,及,另外,前述之pn接合层系含有由p层或n层作为之第1领域和对前述第1领域系成为倒反领域之第2领域所形成,并藉以逆偏压之状态使用而具有作为电容器之功能,于前述第1领域上连接有前述之电感器电极,藉分别由前述电感器电极和第2领域所形成所之电感器和藉对应这些各个电感器之前述pn接合层所形成之电容器系以分散参数型态存在,前述电感器电极和前述第2领域中至少有一侧系作为信号传送路使用。2. 如申请专利范围第1项之电感—电容元件,其中电感器电极系具有卷绕形状。3. 如申请专利范围第1项之电感—电容元件,其中电感器电极系具有蛇行形状。4. 如申请专利范围第1项之电感—电容元件,其中电感器电极系具有波形形状。5. 如申请专利范围第1项之电感—电容元件,其中电感器电极系具有曲线形状。6. 如申请专利范围第1项之电感—电容元件,其中电感器电极系具有直线形状。7. 如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其中,具有设置于前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域中之任何一侧之两端附近之第1及第2之输出入电极,及设置于前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域中之另一侧之一端近傍之接地电极,及,另外,自前述第1及第2输出入电极之任一侧输入信号,而自另一侧输出信号,又,前述接地电极系连接于固定电位之电源或接地。8. 如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其中,具有设置于前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域中之任何一侧之两端附近之第1及第2输出入电极,及设置于前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域中之另一侧之一端近傍之接地电极,及,另外,分别将前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域作为信号传送路而形成为同相位模式型之元件使用。9.如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其中,对前述电感器电极,藉至少将前述pn接合层之第2领域之长度设定长或短以使前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域作部份地对应。10. 如申请专利范围第7项之电感—电容元件,其中,对前述电感器电极,藉至少将前述pn接合层之第2领域之长度设定长或短以使前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域作部份地对应。11. 如申请专利范围第8项之电感—电容元件,其中,对前述电感器电极,藉至少将前述pn接合层之第2领域之长度设定长或短以使前述电感器电极和前述pn接合层之第2领域作部份地对应。12. 如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其中,前述电感器电极系被分割成多数单体,或至少前述pn接合层之第2领域系被分割成多数单体,各分割单体系作电气之连接。13. 如申请专利范围第7项之电感—电容元件,其中,前述电感器电极系被分割成多数单体,或至少前述pn接合层之第2领域系被分割成多数单体,各分割单体系作电气之连接。14. 如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其中,藉改变加于pn接合层上之逆偏压,可变更前述pn接合层具有之电容。15. 如申请专利范围第7项之电感—电容元件,其中,藉改变加于pn接合层上之逆偏压,可变更前述pn接合层具有之电容。16. 如申请专利范围第8项之电感—电容元件,其中,藉改变加于pn接合层上之逆偏压,可变更前述pn接合层具有之电容。17. 如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其中,于前述信号传送路之输出侧连接有缓冲器。18. 如申请专利范围第7项之电感—电容元件,其中,于前述信号传送路之输出侧连接有缓冲器。19. 如申请专利范围第8项之电感—电容元件,其中,于前述信号传送路之输出侧连接有缓冲器。20. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件,其特征为于前述半导体基座之整个表面上形成绝缘膜,然后藉浸蚀或雷射光照射除去此绝缘膜之一部份以行开孔,接着用焊锡填满此开孔直到凸出于表面之程度止以行装设端子。21. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第7项之电感—电容元件,其特征为于前述半导体基座之整个表面上形成绝缘膜,然后藉浸蚀或雷射光照射除去此绝缘膜之一部份以行开孔,接着用焊锡填满此开孔直到凸出于表面之程度止以行装设端子。22. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第8项之电感—电容元件,其特征为于前述半导体基座之整个表面上形成绝缘膜,然后藉浸蚀或雷射光照射除去此绝缘膜之一部份以行开孔,接着用焊锡填满此开孔直到凸出于表面之程度止以行装设端子。23. 一种半导体装置,其特征为如申请专利范围第1-6项任一项之电感—电容元件系形成为基座之一部份,前述电感器电极及前述pn接合层之第2领域至少有一侧系插入于信号线路或电源线路而一体成形。24. 一种半导体装置,其特征为申请专利范围第7项任一项之电感—电容元件系形成为基座之一部份,前述电感器电极及前述pn接合层之第2领域至少有一侧系插入于信号线路或电源线路而一体成形。25. 一种半导体装置,其特征为申请专利范围第8项任一项之电感—电容元件系形成为基座之一部份,前述电感器电极及前述pn接合层之第2领域至少有一侧系插入于信号线路或电源线路而一体成形。26. 一种电感—电容元件,其特征为具备有由形成于半导体基座之一部份上之第1领域及与此领域成倒反之领域之第2领域所组成,并藉以逆偏压状态使用而具有作为电容器之功能之既定形状之pn接合层,另外,分别由前述第1及第2领域所形成之电感器,和由前述pn接合层所形成之电容器系以分散参数型态存在,前述第1及第2领域中至少有一侧系作为信号传送路使用。27.如申请专利范围第26项之电感—电容元件,其中前述pn接合层系具有卷绕形状。28. 如申请专利范围第26项之电感—电容元件,其中前述pn接合层系具有蛇行形状。29. 如申请专利范围第26项之电感—电容元件,其中前述pn接合层系具有波形形状。30. 如申请专利范围第26项之电感—电容元件,其中前述pn接合层系具有曲线形状。31. 如申请专利范围第26项之电感—电容元件,其中前述pn接合层系具有直线形状。32. 如申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其中,又具有设置于构成前述pn接合层之第1领域及第2领域之任一领域之两端附近之第1及第2输出电极,及设置于构成前述pn接合层之第1领域及第2领域之另一领域之一端之附近之接地电极,及,另外,自前述第1及第2输出入电极之任一电极输入信号而自另一电极输出信号,另外,前述接地电极系连接于固定电源或接地。33. 如申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其中,又具有设置于构成前述pn接合层之第1领域及第2领域之任一领域之两端附近之第1及第2输出入电极,及设置于构成前述pn接合层之第1领域及第2领域之另一领域之一两端附近之第3及第4输出入电极,及另外作成为将前述pn接合层之第1及第2领域之各个作为信号传送路之同位模式型之电感—电容元件使用。连接于固定电源或接地。34. 如申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其中,对前述第1领域,藉将前述第2领域设定长或短以使这第1领域和第2领域作部份地对应。35. 如申请专利范围第32项之电感—电容元件,其中,对前述第1领域,藉将前述第2领域设定长或短以使这第1领域和第2领域作部份地对应。36. 如申请专利范围第33项之电感—电容元件,其中,对前述第1领域,藉将前述第2领域设定长或短以使这第1领域和第2领域作部份地对应。37. 如申请专利范围第26-31项任一之项电感—电容元件,其中,前述第1领域及前述第2领域之任一领域系被分割成多数单体,各分割单体各个之一部份系作电气的连接。38.如申请专利范围第32项之电感—电容元件,其中,前述第1领域及前述第2领域之任一领域系被分割成多数单体,各分割单体各个之一部份系作电气的连接。39.如申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其中,藉改变加于前述pn接合层上之逆偏压,可变更前述pn接合层具有之电容。40. 如申请专利范围第32项之电感—电容元件,其中,藉改变加于前述pn接合层上之逆偏压,可变更前述pn接合层具有之电容。41. 如申请专利范围第33项之电感—电容元件,其中,藉改变加于前述pn接合层上之逆偏压,可变更前述pn接合层具有之电容。42. 如申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其中,于前述信号传送路之输出侧连接有缓冲器。43. 如申请专利范围第32项之电感—电容元件,其中,于前述信号传送路之输出侧连接有缓冲器。44. 如申请专利范围第33-项之电感—电容元件,其中,于前述信号传送路之输出侧连接有缓冲器。45. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其特征为于此半导体基座之整个表面上形成绝缘膜,然后藉浸蚀或雷射光照射除去此绝缘膜之一部份以行开孔,接着用焊锡填满此开孔直到凸出于表面之程度止以行装设端子。46. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第32项之电感—电容元件,其特征为于此半导体基座之整个表面上形成绝缘膜,然后藉浸蚀或雷射光照射除去此绝缘膜之一部份以行开孔,接着用焊锡填满此开孔直到凸出于表面之程度止以行装设端子。47. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第33项之电感—电容元件,其特征为于此半导体基座之整个表面上形成绝缘膜,然后藉浸蚀或雷射光照射除去此绝缘膜之一部份以行开孔,接着用焊锡填满此开孔直到凸出于表面之程度止以行装设端子。48. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第26-31项任一项之电感—电容元件,其特征为前述pn接合层之第1及第2领域中至少有一个领域系插入信号线路或电源线路而一体成形。49. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第32项之电感—电容元件,其特征为前述pn接合层之第1及第2领域中至少有一个领域系插入于信号线路或电源线路而一体成形。50. 一种形成于半导体基座上之申请专利范围第33项之电感—电容元件,其特征为前述pn接合层之第1及第2领域中至少有一个领域系插入信号线路或电源线路而一体成形。51. 一种电感—电容元件之制造方法,其特征为含有于半导体基座上形成由第1领域和对此第1领域成倒反领域之第2领域所组成之卷绕形状之pn接合层之第1工程,及形成系为前述pn接合层之表面,沿着前述第1领域之全长作电气连接之电感器电极之第2工程,及形成分别连接于前述电感器电极及前述pn接合层之第2领域之两端或一端之配线层之第3工程。52. 一种电感—电容元件之制造方法,其特征为含有于半导体基座上形成由第1领域和对此第1领域成倒反领域之第2领域所组成之蛇行形状之pn接合层之第1工程,及形成系为前述pn接合层之表面,沿着前述第1领域之全长作电气连接之电感器电极之第2工程,及形成分别连接于前述电感器电极及前述pn接合层之第2领域之两端或一端之配线层。53. 一种电感—电容元件之制造方法,其特征为含有于半导体基座上形成由第1领域和对此第1领域成倒反领域之第2领域所组成之卷绕形状之pn接合层之第1工程,及形成分别连接于前述pn接合层之第1及第2领域之两端或一端之配线层之第2工程。54. 一种电感—电容元件之制造方法,其特征为含有于半导体基座上形成由第1领域和对此第1领域成倒反领域之第2领域所组成之蛇行形状之pn接合层之第1工程,及形成分别连接于前述pn接合层之第1及第2领域之两端或一端之配线层之第2工程。图示简单说明:图1系为适用本发明之第1实施例之电感—电容元件之平面图。图2系为图1之A—A线之扩大断面图。图3A,图3B,及图3C系为表示第1实施例之电感—电容元件之等效回路。图4A,图4B,图4C及图4D系表示第1实施例之电感—电容元件之制造工程之图。图5系表示第1实施例之电感—电容元件之变形例。图6系为适用本发明之第2实施例之电感—电容元件之平面图。图7系表示藉蛇行形状之电极形成之电感器之原理。图8系表示第2实施例之电感—电容元件之变形例。图9系为第3实施例之电感—电容元件之平面图。图10A,图10B,及图10C系表示第3实施例之电感—电容元件之等效回路。图11系表示第3实施例之电感—电容元件之变形例。图12系表示第3实施例之电感—电容元件之另外变形例。图13系表示第3实施例之电感—电容元件之另外变形例。图14系为第4实施例之电感—电容元件之平面图。图15系表示第4实施例之电感—电容元件之变形例。图16系表示第4实施例之电感—电容元件之另外变形例。图17系表示第4实施例之电感—电容元件之另外变形例。图18系为第5实施例之电感—电容元件之平面图。图19A,图19B,及图19C系表示第5实施例之电感—电容元件之等效回路。图20系表示第5实施例之电感—电容元件之变形例。图21系为第6实施例之电感—电容元件之平面图。图22系表示第6实施例之电感—电容元件之变形例。图23系为第7实施例之电感—电容元件之平面图。图24A,图24B,及图24C系表示第7实施例之电感—电容元件等效回路。图25系表示第7实施例之电感—电容元件之变形例。图26系表示第7实施例之电感—电容元件之另外变形例。图27系为第8实施例之电感—电容元件之平面例。图28系表示第8实施例之电感—电容元件之变形例。图29系表示第8实施例之电感—电容元件之另外变形例。图30A及图30B系为第9实施例之电感—电容元件之平面图。图31A及图31A系为第9实施例之电感—电容元件之平面图。图32系表示第9实施例之变形例。图33系表示第9实施例之变形例。图34系表示第9实施例之变形例。图35系表示变更输出入电极之位置之变形例。图36系表示变更输出入电极之位置之变形例。图37及图38系表示利用化学液相成长法以作成端子之情形之概略。图39系为将各实施例之电感—电容元件形成为LSI等之一部份之情形之说明图。图40A,图40B,图40C,图40D,及图40E系表示于各实施例之电感—电容元件之输出侧连接有缓冲器之例。图41系表示在pn接合层和电极之间形成绝缘层之情形之断面构造。图42系表示埋入电极之情形之断面构造。图43系表示作成npn构造之情形之电感—电容元件之部份断面构造。 |
