图形投影方法

摘要

本发明之目的是在使用受激准分子雷射装置投影罩幕上之微细图形之情况时，可以消除焦点深度与图形之相关性照度之降低和照度之不均匀。本发明之构成是使用受激准分子雷射单位将受激准分子雷射光分割成4 个单位束射B1～B4，再使用棱镜装置使其再重合，用来使再重合时之重合量成为最佳化。在有效光源面内形成4 个最大光强度M 区域，和在它们所包围之区域形成区域C ，在区域C 具有来自各个束射之光所渗出之指定之光强度。本发明之效果是对于重复图形可以获得斜方照明同等之焦点深度之扩大效果，和利用存在于区域C 之光，对于孤立图形亦可获得同等之效果。因为不需要使用遮光过滤器，所以不会发生照度之降低和不均匀。罩幕之设计不需要变更。

主权项

1. 一种图形投影方法,使用曝光之光照明形成有微细图形之罩幕,将该罩幕之透过光射入到投影光学系统之瞳孔,藉以将该微细图形之影像投影在基板上;其特征是:使用有效光源用来进行上述之照明藉以达成在上述瞳孔之中心区域具有指定之光强度,在被配置于该中心区域之周边之多个区域具有最大光强度,在用以连结该多个区域之区域具有比该最大光强度低之光强度,用以获得此种方式之光强度分布。2. 如申请专利范围第1项之图形投影方法,其中上述光强度分布之达成是将上述曝光之光分割整形成多个单位束射其数目与具有上述最大光强度之区域之数目相同,和使邻接该单位束射之端部互相重合。3. 如申请专利范围第2项之图形投影方法,其中上述光强度分布之控制是经由变化上述单位束射之短边方向之尺寸和该单位束射之重合量之至少之一方。4. 如申请专利范围第1或2项之图形投影方法,其中将上述瞳孔之中心区域中之指定之光强度控制在上述最大光强度之20-50%之范围内。5. 如申请专利范围第1或2项之图形投影方法,其中具有上述最大光强度之多个区域被配置在对上述瞳孔之中心区域形成旋转对称之位置。6. 如申请专利范围第2项之图形投影方法,其中上述单位束射之数目为4。7. 如申请专利范围第3项之图形投影方法,其中上述单位束射之数目为4。图示简单说明:图1是概略斜视图,用来表示KrF受激准分子雷射分节器之光学系统。图2是模式平面图,用来说明本发明中之雷射光之分割和再重合。图3是说明图,用来表示有效光源之光强度分布之一实例,(a)是2次元映像图,(b)是3次元映像图。图4是平面图,用来表示使用在本发明之实施例之罩幕上之元件分离图形。图5是表示本发明使用图4之元件分离图形进行投影之情况时之解像特性。图6是平面图,用来表示本发明之另一实施例中所使用之罩幕上之配线图形。图7表示利用通常之照明使图4之元件分离图形进行投影之情况时之解像特性。图8表示使用4个洞穴之过滤器利用斜方照明使图4之元件分离图形进行投影之情况时之解像特性。图9是平面图,用来表示被用在习知之斜方照明之4个洞穴