| 主权项 |
1.一种穿透分裂式复晶矽编码(through split polycoding)方法,其步骤包括:(a)形成一第一复晶矽层于具一闸氧化物(Gate Oxide,GOX)层及一场区氧化物(Field Oxide,FOX)层之矽基体上方;(b)形成一光阻层于该第一复晶矽层上方;(c)以光学微影及蚀刻技术去除部份光阻,以暴露出该第一复晶矽层之部份区域;(d)于该所露出之该第一复晶矽层之部份区域遂行一编码程序;(e)形成一第二复晶矽层于经一去除光阻程序之该第一复晶矽层上方;以及(f)以光学微影及蚀刻技术于该第一及第二复晶矽层处,蚀刻形成一穿透分裂式复晶矽层;其特征在于先行形成一厚度较薄之该第一复晶矽层,俾供于遂行该编码程序时,仅需以较低之植入能量即可完成编码动作,且形成该第二复晶矽层以使该穿透分裂式复晶矽层具较低之电阻値。2.如申请专利范围第1项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中于遂行该步骤(a)之前,更包括步骤:(a1)形成该闸氧化物层及该场区氧化物层于该矽基体上方。3.如申请专利范围第1项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中该步骤(a)中之该第一复晶矽层之厚度系为1000@fc(1.frch)8以下。4.如申请专利范围第1项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中于该步骤(d)中该编码程序系指以离子布値方式穿透该第一复晶矽层部份区域,以于该第一复晶矽层部份区域下方之该矽基体处,形成一编码区域。5.如申请专利范围第4项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中该离子布値方式所需之植入能量系为80KeV以下。6.如申请专利范围第1项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中该步骤(e)中该第二复晶矽层系为一复晶矽层或为一复晶矽化物层(polycide)。7.如申请专利范围第1项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中该步骤(f)中蚀刻该第一及第二复晶矽层以得致该穿透分裂式复晶矽层之方法,系以光学微影及蚀刻技术为之。8.如申请专利范围第1项所述之穿透分裂式复晶矽编码方法,其中该步骤(f)中之该穿透分裂式复晶矽层,系由该步骤(c)中该所暴露出之该第一复晶矽层之部份区域及位于该部份区域上方该第二复晶矽层之部份区域所构成。图示简单说明:第一图(a)-(d):系为习知以单一复晶矽层遂行编码之流程示意图。第二图(a)-(g):系为本案之一较佳实施例之流程示意图 |
