| 主权项 |
1. 一种制造金氧半场效电晶体元件的方法,包括下列步骤:在一第一型基底上形成一闸极氧化层;在该闸极氧化层上形成一闸极电极;利用该闸极电极当作罩幕,作第一次离子布植,将一第二型杂质植入该基座中以形成淡掺植源/汲极区;在该闸极电极和该闸极氧化层的侧壁上形成含有第一型杂质的侧壁间隔层;进行一热处理使得一部分该侧壁间隔层内的第一型杂质扩散到该淡掺植源/汲极区的表面部分而降低其中该第二型杂质的浓度;以及利用该闸极电极和侧壁间隔层当作罩幕,作第二次离子布植,将一第二型杂质植入该基底中以形成浓掺植源/汲极区,完成该金氧半场效电晶体。2. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型是P型,该第二型是N型。3. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型是N型,该第二型是P型。4. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极氧化层的厚度是介于50埃至200埃。5. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极电极是一复晶矽层,其厚度是介于1000埃至4000埃。6. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极电极包括一复晶矽层和一金属矽化物层。7. 如申请专利范围第6项所述的方法,其中该金属矽化物层是矽化钨层,其厚度是介于1000埃至2000埃。8. 如申请专利范围第6项所述的方法,其中该第一次离子布植系植入磷离子,其布植能量是介于30至80KeV,植入量是介于110@su1@su3至110@su1@su4cm@su-@su2。9. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中形成该侧壁间隔层的步骤包括:沈积一硼矽玻璃,其厚度是介于1000埃至2500埃,且含硼的浓度是介于110@su1@su7至110@su1@su9cm@su-@su3;以及回蚀刻该硼矽玻璃而留下厚度介于500埃至1500埃的侧壁间隔层。10. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该热处理系于800℃至1500℃加热5至30秒,使得该第一型杂质扩散到该淡掺植源/汲极区的表面部分达100埃至500埃的深度。11. 如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二次离子布植系植入砷离子,其布植能量是介于50至100KeV,植入量是介于110@su1@su5至110@su1@su6cm@su-@su2。图示简单说明:第1A图至1B图是剖面示意图,绘示习知之淡掺植汲极金氧半场效电晶体的制造流程;第2A至2D图是剖面示意图,绘示根据本发明方法一较佳实施例的制造流程;以及第3图显示根据本发明另一较佳实施例所制得元件的剖面 |
