| 主权项 |
1. 一种制造动态随机存取记忆体之电容器的方法,系包含下列步骤: 形成隔离电性活化区(Active Area)所需的场氧化层(Field Oxide); 形成场效电晶体(Field Effect Transistor;FET),所述场效电晶体包含有闸介电层(Gate Dielectric)、闸电极(Gate Electrode),侧壁子(Spacer)与源极/汲极(Source/Drain); 沈积【第一绝缘层】与【第二绝缘层】; 利用微影技术制定源极接触窗(Node Contact)的光阻图案; 利用蚀刻技术单向性的(Anisotropically)蚀去一部份的所述【第二绝缘层】; 利用氧气电浆(Oxygen Plasma)侧向蚀去一部份的所述光阻图案; 利用电浆蚀刻技术单向性的蚀去所述【第一绝缘层】与一部份的所述【第二绝缘层】,以形成阶梯型源极接触窗(Ladder-Shaped Node Contact); 沈积一层【搀杂的第一复晶矽层】,所述【搀杂的第一复晶矽层】将填满所述【阶梯型源极接触窗】; 利用电浆蚀刻技术【单向性】的对所述搀杂的第一复晶矽层进行回蚀刻(Etchback),所述回蚀刻终止于所述【第二绝缘层】之表面,以在所述【阶梯型源极接触窗】内形成复晶矽闩柱(Polysilicon Plug); 蚀去所述【第二绝缘层】;(7) 形成一层极薄的电容器介电层(CapacitorDielectric);(8) 形成一层【搀杂的第二复晶矽层】,并制定电容器的上层电极(Pltae Electrode)。2. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中所述【第一绝缘层】系由氮化矽(Silicon Nitride)组成,其厚度介于500埃到1500埃之间。3. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中所述【第二绝缘层】系由二氧化矽(Silicon Dioxide)组成,其厚度介于5000埃到10000埃之间。4. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中所述【搀杂的第一复晶矽层】系以化学汽相沈积法(CVD)形成,其厚度介于1000埃到2000埃之间。5. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中所述【搀杂的第二复晶矽层】系以化学汽相沈积法形成,其厚度介于1000埃到2000埃之间。6. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中所述【电容器介电层】是由氮化矽和二氧化矽(NO)所组成,或由二氧化矽、氮化矽和二氧化矽(ONO)所组成,或由Ta@ss2O@ss5所组成,其厚度介于10埃到100埃之间。7. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中步聚(9)所述形成复晶矽闩柱(Polysilicon Plug)的方式,除了利用电浆蚀刻技术之回蚀刻(Etchback)以外,亦不限制以其它的的方式在【源极接触窗】内形成复晶矽闩柱。8. 如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中所述电容器的【电荷储存电极】系与所述场效电晶体之源极/汲极的导电型(P型或N型)相同。9. 一种制造【T型】复晶矽柱的方法,系包含下列步骤: 在半导体基板上沈积【第一绝缘层】与【第二绝缘层】; 利用微影技术形成【光阻图案】; 利用蚀刻技术单向性的(Anisotropically)蚀去光阻图案以外的所述【第二绝缘层】; 利用氧气电浆(Oxygen Plasma)侧向蚀去一部份的所述【光阻图案】; 利用电浆蚀刻技术【单向性】的蚀去所述【第一绝缘层】与一部份的所述【第二绝缘层】,以形成阶梯型洞孔(Ladder-Shaped Hole); 沈积一层【第一复晶矽层】,所述【第一复晶矽层】将填满所述阶梯型洞孔; 利用电浆蚀刻技术单向性的对所述【第一复晶矽层】进行回蚀刻(Etchback),所述回蚀刻终止于所述【第二绝缘层】之表面,以在所述【阶梯型洞孔】内形成复晶矽闩柱(Polysilicon Plug); 去除所述【第二绝缘层】,【T型】复晶矽柱于焉完成。10. 如申请专利范围第9项所述之制作方法,其中步聚(7)所述形成复晶矽闩柱(Polysilicon Plug)的方式,除了利用电浆蚀刻技术之回蚀刻(Etchback)以外,亦不限制以其它的的方式在【阶梯型洞孔】内形成复晶矽闩柱。图示简单说明:图一是先前技艺(Prior Art),图二至十五是本发明之实施例的制程剖面图。图一是六仟四佰万位元(64MB)堆叠式动态随机存取记忆体结构的先前技艺(Prior Art)的制程剖面图,其各层次的编号跟本发明实施例之各层次编号的说明相同,亦即,【电荷储存电极14】、【电容器介电层15】与上层电极16(Plate Electrode);图二是形成场效电晶体后的制程剖面图;图三是沈积【第一绝缘层】后的制程剖面图;图四是沈积【第二绝缘层】后的制程剖面图;图五是制定源极接触窗(Node Contact)的光阻图案后的制程剖面图;图六是利用电浆蚀刻技术单向性的(Anisotropically)蚀去一部份的所述【第二绝缘层】后的制程剖面图;图七是利用氧气电浆(Oxygen Plasma)侧向蚀去一部份的所述光阻图案后的制程剖面图;图八是利用电浆蚀刻技术【单向性的】蚀去所述第一绝缘层与一部份的所述【第二绝缘层】后的制程剖面图;图九是利用硫酸或氧气电浆去除所述【光阻图案】后的制程剖面图;图十是沈积一层【搀杂的第一复晶矽层】后的制程剖面图;图十一是利用电浆蚀刻技术【单向性的】对所述搀杂的第一复晶矽层进行回蚀刻后的制程剖面图;图十二是利用稀释氢氟酸溶液(Diluted HF)除去所述第二绝缘层10B后的制程剖面图,【T型】之电荷储存电极(T-Shaped Storage Node)于焉形成;图十三是在电容器的【电荷储存电极】表面形成一层厚度极薄的【电容器介电层】后的制程剖面图;图十四是形成【搀杂的第二复晶矽层】后的制程剖面图;图十五是利用微影与电浆蚀刻技术制定电容器之上层电极(Plate Electrode),完成动态随机存取记忆体之电容器 |
