| 主权项 |
1. 一种半导体元件散热能力之改善方法,尤指一种导线架之岛位与散热片之接合方法,其包括有:一制有凹痕之散热片;一有穿透孔洞之岛位;以黏胶接合晶片与导线架之岛位时,藉由该岛位之孔洞,使黏胶流入所述散热片之凹痕,在固化过程后,使岛位与散热片呈紧密接合。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之散热片可依晶片发热量之大小,采包装于胶体内之散热片,或以露出于构装本体外之散热块取代,或可再接合更大之散热座。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之晶片可为单晶片模组或多晶片模组。4. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之散热片之凹痕及岛位之孔洞的数量、形状及深度均可作适当调整。5. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述之散热片可用无凹痕之散热片取代。图示简单说明:图1为习用技术第一个实施例的横截面示意图。图2为习用技术第二个实施例的横截面示意图。图3A为本发明第一个实施例之散热片俯视图。图3B为本发明第一个实施例之散热片侧视图。图4为本发明第一个实施例用于单晶片模组之部份立体分解图。图5为本发明第一个实施例用于单晶片模组之横截面示意图。图6为本发明第一个实施例用于多晶片模组之部份立体分解图。图7为本发明第一个实施例用于多晶片模组之横截面示意图。图8为本发明第二个实施例用于单晶片模组之横截面示意图。图9为本发明第二个实施例用于多晶片模组之横截面示意 |
