| 主权项 |
1.一种电压随耦器型的功率放大器级,其接收一输入电压讯号(Vi)并供应一输出讯号(Vo),该放大级包含在输出端之一第一MOS功率晶体(M1)及串联一第二MOS功率晶体(M2),其中M1之源极接到一共模线(1)且M2之汲极接到一正电源供应线(2),该二电晶体属于同一种导通型态且其共同连接点提供该放大器之输出讯号,该放大级尚包含一第一放大器(A1)提供一第一控制讯号(V1)到第一MOS功率晶体的闸极,以及一第二放大器(A2)提供一第二控制讯号(V2)到第二MOS功率晶体的闸极,该第一及第二放大器均在各自的第一输入接收输入讯号(Vi),而将放大级的输出讯号(Vo),送到各自的第二输入做比较,其特征为,为避免两个MOS功率晶体(M1, M2)的同时导通,每个放大器(A1, A2)均被提供一抑制输入(22, 20)并加以安排以在该抑制讯号达到同样的共模电压时供应一等于共模电压(Ve)的闸极控制讯号,在该放大级中包含两个MOS场效形态的切换电晶体,每一个的源极接到共模线上(1),一第一切换电晶体(SW1)的闸极接到第一MOS功率晶体(M1)的闸极,且其汲极接至第二放大器(A2)的抑制输入,而一第二切换电晶体(SW2)的闸极接收一源自第二MOS功率晶体(M2)闸极电压的讯号,且其汲极连接到第一放大器(A1)的抑制输入。2.根据申请专利范围第1项的功率放大器级,其特征为第一和第二放大器均藉由一对其集极是互相连接的互补双极性电晶体(T7, T8; T17, T18)来提供闸极控制讯号。3.根据申请专利范围第2项的功率放大器级,其特征为对于第二放大器(A2)的一对互补双极性输出电晶体,一正电压供应至电晶体(T17)之射极,而集极则经由一串级(M18)接到这一对中的另一个电晶体(T18)的集极,而这电晶体(T18)的集极与串级之间的接点形成第二放大器的抑制输入(20)。4.根据申请专利范围第3项的功率放大器级,其特征为第二放大器(A2)的抑制输入(20)也形成一讯号输出送到第二切换电晶体(SW2)的闸极。5.根据申请专利范围第1项的功率放大器级,其特征为第二MOS功率晶体(M2)的闸极连接形成第二放大器(A2)的抑制输入。6.根据申请专利范围第2项的功率放大器级,在其第一放大器(A1)中包含在输入之一差动对的双极电晶体(T1, T2),一来自正电源供应线的定电流(I1)供应至(T1, T2)之联合射极的接点上,而其基极则接至该第一放大器的各自输入,其特征为在输入之该差动对的一电晶体(T1)的集极形成这第一放大器的抑制输入(22)。7.根据申请专利范围第2到6项任一项的功率放大器级,其特征为它包含了一倍电压型态的产生器(16)以提供一高于前面所提的电源供应电压的额外正电源供应电压(Vc2),该额外电压系用来供应第二放大器(A2)。8.根据申请专利范围第7项的功率放大器级,其特征为第二放大器(A2)包含有限制额外正电源供应(Vc2)的电流消耗的装置,该装置限制该电流消耗到由参考电流源(S5)所供应之电流値的一个倍数,该倍数由电流镜(T22-T23)的射极表面比率所建立,而该电流限制装置由另外两个电流镜(T20-T21, T24-T25)来完成。图示简单说明:图1是一根据本发明之放大器级的一般图形,图2显示出本发明之具体实例的图1的放大级之部分电子电路,及图3显示出与图2中显示之电路部分相关的电流曲线,图4是第一个具体实例中图1放大级之另一部份的电路图,及图5是同一部份的电路图,但是在另一具体实例中,其包括正电源供应的电流限制方法,及 |
