| 主权项 |
1.一种控制电浆不规则性的装置,包含:一电极组件,其能将一电位施于该电浆,该电极组件含控制电浆不规则性的装置。2.根据申请专利范围第1项之装置,尚包含:一与该电极组件相接触之工作件。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中该电极组件尚包含:一静电夹盘。4.根据申请专利范围第2项之装置,其中该电极组件尚包含:一夹环。5.根据申请专利范围第2项之装置,其中该电极组件尚包含:将该工作件固定于该电极组件的装置。6.根据申请专利范围第1项之装置,尚包含:一邻接该电浆之该电极的表面,其中该控制装置包含多个位于或低于该表面埋藏元件。7.根据申请专利范围第1项之装置,尚包含:一埋藏元件,其含在该电极组件内,其中该埋藏元件为主动式。8.根据申请专利范围第7项之装置,其中可施于该埋藏元件之电位为可变化的。9.根据申请专利范围第7项之装置,其中该埋藏元件可以移位而造成其主动特性。10.根据申请专利范围第6项之装置,其中该埋藏元件为一静电夹盘之一部分。11.根据申请专利范围第1项之装置,尚包含:一埋藏元件,其含在该电极组件内,其中该埋藏元件为被动式。12.根据申请专利范围第2项之装置,其中该埋藏元件影响一耦合于电极组件与电浆之间的射频。13.根据申请专利范围第12项之装置,其中一实质上均匀的吸附有限的电浆在电极上方获致。14.根据申请专利范围第7项之装置,其中该埋藏元件影响电极组件与电浆之间的电容。15.根据申请专利范围第11项之装置,其中该埋藏元件影响电极组件与电浆之间的电容。16.根据申请专利范围第7项之装置,其中该埋藏元件影响一耦合于电极组件与电浆之间的射频,因而获致一期望的电浆性质变化。17.根据申请专利范围第11项之装置,其中该埋藏元件影响一耦合于电极组件与电浆之间的射频,因而获致一期望的电浆性质变化。18.根据申请专利范围第1项之装置,其中该电极组件尚包含:数个电性隔离的区段,渠等能各自独立地接受电力。19.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制装置尚包含:可在外面控制的电力分配元件,用以作电浆场均匀性调谐之处理中、可程式化的、或回授控制。20.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制装置尚包含:主动式调谐的电力分配元件,用以作电浆场均匀性调谐之处理中、可程式化的、或回授控制。21.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制装置尚包含:含在电极组件的子层元件,用以作电浆场均匀性调谐之处理中、可程式化的、或回授控制。22.根据申请专利范围第1项之装置,尚包含:将工作件固定于该电浆内的装置;以及电浆场控制装置,其在该电浆活动之后,建立一能将微粒驱离工作件的电位梯度。23.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制装置尚包含:脉波装置,用以建立一能将微粒驱离工作件的电脉波。24.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制装置含:一表面,其在各明显的区域作不同的配置,以在各明显区域控制电子自该处通至每一特定区域的速率。25.根据申请专利范围第24项之装置,其中该表面配置是基于变化该表面各明显区域的粗糙度。26.根据申请专利范围第24项之装置,其中该表面配置是基于将该表面各明显区域作不同的涂覆。27.根据申请专利范围第1项之装置,其中该电浆不规则性之控制是由于改变邻接该电浆的二次电子放射系数。28.根据申请专利范围第1项之装置,其中该电浆不规则性之控制是由于改变邻接该电浆的电子反射系数。29.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制装置降低电浆的不规则性。30.一种电极组件藉以产生电浆的方法,包含下述步骤:修正该电极组件的构造,其中当一工作件放置成该电极组件接触时,该工作件上的该电浆之电位变化受到改变。31.根据申请专利范围第30项之方法,尚包含之步骤为:将一电容性装置加到电极组件,以影响耦合于电极组件与电浆之间的射频。32.根据申请专利范围第30项之方法,其中该构造之修正包含改变电极组件与电浆之间的电容。33.根据申请专利范围第30项之方法,其中该电位变化是在该护层中。34.根据申请专利范围第30项之方法,其中该修正该电极组件之步骤尚包含:嵌入一电位调谐元件于该电极组件内。35.根据申请专利范围第34项之方法,其中该电位调谐元件位于该电极组件内,且紧靠于该工作件之一边缘。36.根据申请专利范围第35项之方法,其中该边缘为该工作件的周边。37.根据申请专利范围第35项之方法,其中该边缘为该工作件的内缘。38.根据申请专利范围第35项之方法,其中该电位调谐元件为一被动式元件。39.根据申请专利范围第35项之方法,其中该电位调谐元件为一主动式元件。40.根据申请专利范围第30项之方法,其中该电极组件构造之修正尚包含:改变该电极组件的表面,使得含在该电浆内的电子与该电极组件各不同部分的交互作用得以改变。41.根据申请专利范围第40项之方法,其中该电极组件表面之改变含:将该表面各部分粗糙化。42.根据申请专利范围第40项之方法,其中该电极组件表面之改变含:将该表面各部分加以涂层。43.根据申请专利范围第30项之方法,其中该电极组件构造之该修正包含:改变该电极组件各部分的二次电子放射系数。44.根据申请专利范围第30项之方法,其中该电极组件构造之该修正包含:改变该电极组件各部分的电子反射系数。45.一种电极组件藉以产生电桨的方法,包含下述步骤:修正该电极组件的构造,其中当一工作件被放置成与该电极组件接触时,该工作件上的电位变化如所期望而改变。46.根据申请专利范围第45项之方法,尚包含下述步骤:施加一电容性电位于一电极组件以影响一耦合于电极组件与电浆之间的射频,结果造成一实质上恒定不变的电位。47.根据申请专利范围第45项之方法,其中该修正构造的步骤包含:改变电极组件与电浆之间的电容。48.根据申请专利范围第45项之方法,其中该电位变化在该护层内。49.根据申请专利范围第45项之方法,其中该电位变化在该电浆内。50.根据申请专利范围第45项之方法,其中该修正该电极组件之步骤尚包含:嵌入一电位调谐元件于该电极组件内。51.根据申请专利范围第50项之方法,其中该电位调谐元件系未位于该电极组件内,且紧靠于该工作件的一边缘。52.根据申请专利范围第51项之方法,其中该边缘为该工作件的周边。53.根据申请专利范围第51项之方法,其中该边缘为该工作件的内缘。54.根据申请专利范围第51项之方法,其中该电位调谐元件为一被动式元件。55.根据申请专利范围第51项之方法,其中该电位调谐元件为一主动式元件。56.根据申请专利范围第45项之方法,其中该电极组件构造之修正尚包含:修正该电极组件的表面,使得含在该电浆内的电子与该电极组件各不同部分的交互作用得以改变。57.根据申请专利范围第56项之方法,其中该电极组件表面之改变包含:将该表面各部分粗糙化。58.根据申请专利范围第56项之方法,其中该电极组件表面之改变包含:将该表面各部分加以涂层。59.根据申请专利范围第45项之方法,其中该电极组件构造之该修正包含:改变该电极组件各部分之二次电子放射系数。60.根据申请专利范围第45项之方法,其中该电极组件构造之该修正包含:改变该电极组件各部分的电子反射系数。61.一种控制一产生于及施加于一工件表面上之电浆中不规则性的装置,该不规则性系因该工件之存在,而于实质均匀的电浆中产生于该工作所在之区域,该装置包括:一电极组件,用以支撑该工件于该电浆中,其中该电极组件包括:施加一电位至该电浆的装置,用以于该工件表面上之电浆中产生一均匀状态;以及于该工件所在之区域修正该电位之装置,用以控制因该工件之存在所造成该区域中电浆之不规则性,使之不影响该工件表面上形成之实质均匀的电浆。62.根据申请专利范围第61项之装置,其中该电极组件更包括一表面,用以支撑该工件;以及该修正装置包含一组件,其置于该电极组件之该表面一部份之下,用以支撑该工件于该区域附近。63.根据申请专利范围第62项之装置,其中该电位施加装置包含用以施加一电位至该组件的装置。98.根据申请专利范围第63项之装置,其中更包括用以改变该电位之装置。99.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置包括连接至该电位施加装置之装置,用以影响一耦合于该电极组件及该区域中电浆间之射频。100.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置被用来产生一实质均匀且陷波限定之电浆于该区域中该工件之表面上。101.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置影响介于该电极组件及该区域中电浆间之电容。102.根据申请专利范围第61项之装置,其中该电极组件更包括一表面以支撑该工件,该修正装置包括衆多电性隔离的区段于该电极组件表面,且该电位施加装置包含用以个别施加电位至该等区段的装置。103.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置于该区域附近包括外部可控制之电力分配元件,用以于该区域中调谐该电浆场之均匀性。104.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置包括电浆场控制装置,用以产生一电位梯度,可于该电浆赋能后,将该区域中之微粒子驱离该工件。105.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置更包括脉波装置,用以产生一电脉波,其可于该区域中将微粒子驱离该工件。106.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置包括一表面,其被规划为不同的区段,以控制该等不同区段中每一给定面积上来自该电浆之电子的穿过速率。107.根据申请专利范围第72项之装置,其中该表面规划系藉改变该表面中该等不同区段之粗糙度而达成。108.根据申请专利范围第72项之装置,其中该表面规划系藉不同地涂覆该表面之该等不同区段而达成。109.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置包含用以控制在该区域中电浆不规则性的装置,其系藉改变该区域附近邻近该电浆之一表面的二次电子放射系数来控制。110.根据申请专利范围第61项之装置,其中该修正装置包含用以控制在该区域中电浆不规则性的装置,其系藉改变该区域附近邻近该电浆之一表面的一电子反射系数来控制。图示简单说明:图1示出一已往技术之电极组件20及工作件22的实例,为一侧视之部分横剖面图;图2示出图1所示电极组件的俯视图;图3示出另一已往技术之电极组件20及工作件22的实例,为一侧视之部分横剖面图,含一夹环32相对于工作件22配置;图4示出当采用图3装置时之已往技术均匀电浆施于工作件22的略图;图5为一已往技术略图,示出一相同于图4之工作件22(一电子晶圆),以图3所示之装置接受电浆处理,示出所可能形成的电子晶片布局,并示出那些晶片可用,那些晶片不可用;图6示出另一已往技术实例之侧视图,其中一静电夹盘38用以将工作件固定于电极组件;图7示出一典型的已往技术电浆放射组态,存在于一未置晶圆的电极组件上方;图8示出图7之电浆,其中电极组件以本发明一实例之铝嵌入物修改,其中扰动存在于热点形成处;图9示出本发明一实例,其中被动式埋藏元件60嵌入电极组件;图10a、10b、10c、10d及10e示出埋藏元件60的不同构造,其位置与图9所示者相同;图11为一证明图9与图10所示之埋藏元件式样对工作件(此例中为晶圆)蚀刻均匀性的效果之图,其中工作件22置于电极组件之上;图12示出本发明另一实例,其中主动式埋藏元件嵌入电极组件;图13示出本发明又一实例,其中主动式埋藏元件以供至埋藏元件的一可变电位控制;图13a示出一图13实例之修正型,其中送至埋藏元件的可变电位由一微电子控制器96控制,而控制器96则由数个位于该电浆中的感测器调节;图14示出本发明再一实例,为脉波送经埋藏元件将微粒从工作件驱离之前的状况;图15示出图14之实例在脉波已送经埋藏元件之后的状况;图16示出本发明另一实例,其中电极组件20的表面102加以修改,以改变电浆某些区域的性质;图17示出本发明一实例,其电极组件有着相邻的平滑与粗糙的表面,其中电浆受表面之特性而有相当大之变化;图18示出另一相同于图9所示之含有埋藏元件的电极组件实例,但有另一主要电浆源150;以及图19示出本发明另一实例,其中埋藏元件位于一聚焦环中 |
