发明名称 静态随机存取记忆体装置
摘要 揭示一具有一断电计时器之静态随机存取记忆体装置,该断电甫时器对多个位址转变检测讯号与资料输入检划讯号,一晶片选择检测讯号以及一写入模式检测讯应反应以产生一断电掀该。该记忆体装直包含一用以产生一供电讯号使该断电检测讯号被传导之供电检测器,该供电检测讯号系对一上升之电源电压反应。
申请公布号 TW276361 申请公布日期 1996.05.21
申请号 TW083112062 申请日期 1994.12.22
申请人 金星电子股份有限公司 发明人 朴锺勋
分类号 H01L27/11 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼之三;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1. 一种静态随机存取记忆体装置,其具有一断电计时器,该断电计时器对多个位址转变检测讯号与资料输入检测讯号,一晶片选择检测讯号及一写入模式检测讯号反应以产生一断电讯号,该记忆体装置包含:一用以产生一供电检测讯号使该断电讯号被传导之供电检测器,该供电检测讯号系对一上升之电源电压反应。2. 依据申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体装置,其中该供电检测器包含一连接于该电源电压与一第一节点间之电容,一连接于该第一节点与一第二节点间之临界开关,一连接于该第二节点与一产生该供电检测讯号之输出端之间的反相器链,以及一用以在一预定期间之后稳定该供电检测讯号之一电压准位之装置。3. 依据申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体装置,其中该临界开关系一P-通道MOS电晶体,其一闸极及一汲极共同连接至该第二节点而其一源极则连接至该第一节点。4. 依据申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体装置,其中该装置系由一P-通道MOS电晶体构成,其一闸极连接至该输出端以及一通道被置于该电压电源与该第二节点之间。5. 依据申请专利范围第1项所述之静态随机存取记忆体装置,更包含一连接于该电源电压与该第一节点之间在正常状况为导通之P-通道MOS电晶体,以及一连接于该第二节点与一地电压之间的电容。6. 依据申请专利范围第2项所述之静态随机存取记忆体装置,其中该第二节点经由该反相器链之一反相器连接至一第三节点,以及一电容连接于该第三节点与该电源电压之间。7. 一种静态随机存取记忆体装置,其具有一断电计时器,该断电计时器对多个位址转变检测讯号及资料输入检测讯号,一晶片选择检测讯号及一写入模式检测讯号以及供电检测讯号反应以产生一断电讯号。图示简单说明:第1图系一传统静态随机存取记忆体装置之功能方块图。第2图系第1图中断电计时器之一电路图。第3图系一时序图,显示第1图所示电路之读取及写入动作。第4图系一时序图,显示当一外部系统开始施加一电源电压至第1图之电路时之一异常状态。第5图系一依据本发明之一静态随机存取记忆体装置之功能方块图。第6A图系第5图电路所使用之一供电检测器之电路图。第6B图显示一供电检测讯号及一电源电压之电压波形图。第7图系第5图电路所使用之一断电计时器之电路图。第8图系当一外部系统开始施加一电源电压至第5图电路时
地址 韩国