| 主权项 |
1. 一种互补式金氧半场效电晶体制造方法,其可在一矽基板上,形成N通道场效电晶体和P通道场效电晶体,其步骤如下:(a) 提供该矽基板,其上至少已形成P型井区、N型井区、复数个闸极:(b) 以该复数个闸极为光罩,对于该矽基板全面性进行N@su-型离子小角度植入,以形成第一N型离子植入区;(c) 形成第一侧壁子;(d) 遮住欲形成P通道场效电晶体之区域,进行第一N@su+型离子小角度植入,以形成第二N型离子植入区;(e) 形成第二侧壁子;(f) 遮住欲形成P通道场效电晶体之区域,进行第二N@su+型离子小角度植入,形成第三N型离子植入区;(g) 遮住欲形成N通道场效电晶体之区域,进行P@su-型离子大角度植入,形成第一P型离子植入区;再进行P@su+型离子小角度植入,形成第二P型离子植入区;(h) 在场氧化层和电晶体元件上,沈积绝缘层;(i) 蚀刻部分绝缘层,形成接触窗。2. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该离子小角度植入,意指植入角度与垂直该矽基板方向相距0度至7度。3. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中离子大角度植入,系指植入角度与垂直该矽基板方向相距约20度至70度之间。4. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该N@su-型离子小角度植入,其植入角度与垂直该矽基板方向相距0度度7度间,植入物种为能量30至80KeV,浓度为5E12至5E13cm@su-@su2之磷。5. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中第一侧壁子之宽度为400A至1000A之间。6. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一N@su+型离子植入角度与垂直该矽基板方向相距0度至7度,植入物种为能量60至90KeV,浓度为1E15至5E15cm@su-@su2之砷。7. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中第二侧壁子之宽度为800A至2000A之间。8. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二N@su+型离子植入角度与垂直该矽基板方向相距0度至7度,植入物种为能量30至80KeV,浓度为3E15至6E15cm@su-@su2之磷。9. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该P@su-型离子植入角度与垂直该矽基板方向相距约20度至70度,植入物种为能量30至120KeV,浓度为1E13至3E13之二氟化硼。10. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该P@su+型离子植入角度与垂直该矽基板方向相距0度至7度,植入物种能量为30至60KeV,浓度为2E15至6E15之二氟化硼。11. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中植入P@su-型离子与P@su+型离子之植入先后秩序可交换。12. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,沈积在场氧化层和电晶体元件上之绝缘层为矽酸盐玻璃(NSG;Neutral Silicate Glass)或硼磷矽酸盐玻璃(BPSG;Boronphosphosilicate Glass)绝缘层。图示简单说明:第1A图到第1K图系传统淡掺汲极(LDD)结构互补式金氧半场效电晶体之制程剖面图; |
