发明名称 |
CIRCUIT DE SURVOLTAGE UTILISE DANS UN ETAT ACTIF D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS |
摘要 |
<P>a) Circuit de survoltage pour dispositif de mémoire à semi-conducteurs,<BR/>b) caractérisé en ce qu'il comprend:<BR/>- des premiers moyens de circuit pour introduire une horloge principale de puce déterminant un état d'attente et un état actif, et pour générer un signal de commande de détecteur, ainsi qu'un signal de commande de verrouillage actionné après l'écoulement d'un second retard de temps;<BR/>- des seconds moyens de circuit pour répondre au signal de commande du détecteur et du signal de commande de verrouillage;<BR/>- des troisièmes moyens de circuit pour générer un signal de commande de générateur de survoltage; et<BR/>- des moyens de génération de survoltage.</P>
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申请公布号 |
FR2729020(A1) |
申请公布日期 |
1996.07.05 |
申请号 |
FR19950015663 |
申请日期 |
1995.12.28 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
YOON SEI SEUNG;PARK CHAN JONG;KIM BYUNG CHUL |
分类号 |
G11C11/407;G11C5/14;G11C11/4074;G11C11/408;H02M3/07;(IPC1-7):H03K5/05;G11C7/00;G11C11/34;H03K19/094 |
主分类号 |
G11C11/407 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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