改良式局部矽氧化制程方法

摘要

一种改良式局部矽氧化制程方法，用以形成场氧化层，包括下列步骤：在一矽基底上依序形成一氧化层及一氮化矽层；以一罩幕定义元件区，蚀刻该氮化矽层，该氧化层及该矽基底而形成沟槽，露出沟槽底待形成场氧化层区域；形成一复晶矽层；进行氧化作用以形成场氧化层；除去复晶矽氧化层及该氮化矽层而完成该局部矽氧化法制程。此外，更可在形成上述复晶矽层后，于该沟槽侧壁形成氧化矽间隔物，再施予场区离子布值，以减少杂质向侧面散布之量。如此形成的隔离场氧化层可以改善氧化层边缘翘起的现象，亦能抑制窄通道效应之发生，并且，因沟槽面氧化反应后，形成的场氧化层较能与原矽基面匹配，产生比较平坦的表面结构，利于后续制程。

主权项

1. 一种改良式局部矽氧化制程方法,包括下列步骤:在一矽基底上形成一垫氧化层;形成一氮化矽层于该垫氧化层上;以一罩幕定义元件区图案,蚀刻该氮化矽层、该氧化层及该矽基底形成一沟槽;形成一复晶矽层;进行氧化作用,在沟槽内形成一场氧化层,而于沟槽外产生一复晶矽氧化层;以及除去该复晶矽氧化层及该氮化矽层,而完成局部矽氧化制程。2. 如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化法制程方法,其中更包括在形成该复晶矽层后,施以加强隔离效果之离子布値。3. 如申请专利范围第1项所述之局部矽氧化法制程方法,其中更包括在形成该复晶矽层后,于该沟槽侧壁形成氧化矽间隔物,用以减少窄通道效应。4. 如申请专利范围第3项所述之局部矽氧化法制程方法,其中更包括在形成该氧化矽物后,施以加强隔离效果之离子布値。图示简单说明:第1(a)至1(d)图是剖面示意图,绘示一习知的局部矽氧化制程方法之流程。第2(a)至2(d)图是剖面示意图,绘示依照本发明方法第一较佳实施例的制造流程。第3(a)至3(d)图是剖面示意图,绘示依照本发明方法第二