发明名称 连接用金合金细线及其制法
摘要 一种对半导体装置之小型化,高密度化极为有用之半导体晶粒连接用金合金细线及其制法,在高纯度金中含有一定量之Pt,Pd,Be,Ge,La,Y,Eu,而且形成为伸长系数3~8%,6800~9000kgf/mm2 之金合金细线,故虽然线径小但强度高,故配线时或使用时不容易断线,放置在高温下后,接合强度之降低极小,可抑制受到振时发生之断线。在熔解铸造过程中,将具有本发明之组成之熔触金合金1在坩锅2内从坩锅下端朝条上端冷却而确实及简易的制成具有上述合金组成而且伸长系数3~8%,扬氏系数6800~9000kfg/mm2之金合金细线。
申请公布号 TW287310 申请公布日期 1996.10.01
申请号 TW084110153 申请日期 1995.09.29
申请人 田中电子工业股份有限公司 发明人 三村利孝;板桥一光
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 杜汉淮 台北巿吉林路二十四号九楼I室
主权项 1. 一种半导体晶粒连接用金合金细线,其特征为:在高纯度金中至少含有Pt或Pd,中之一种0.1-2.2重量%,又至少含有Be,Ge,Ca,La,Y,Eu中之一种0.0001-0.005重量%,而且伸长系数为3-8%,杨氏系数为6800-9000kgf/mm@su2。2. 一种半导体晶粒连接用金合金细线之制法,主要系将在高纯度金中至少含有Pt或Pd,中之一种0.1-2.2重量%,又至少含有Be,Ge,Ca,La,Y,Eu中之一种0.0001-0.005重量%之金合金熔解及铸造而制成锭料,对该锭料实施粗加工,延线加工,及退火处理而制造金合金细线,其特征为:该熔解铸造方法系将熔解之金合金在坩锅内从坩锅下端朝向上方冷却,而伸长系数为3-8%,杨氏系数为6800-9000kgf/mm@su2。图示简单说明:第1图为制造本发明之连接用金合金细线之锭料之方法之一实施例之图;第2图为习用之制造连接用金合金细线之锭料之方法之图
地址 日本