| 主权项 |
1.一种用在磁力电子物品监视系统中之标识物,含一由铁钴合金形成之非晶形磁致伸缩细条,其中钴之比例以原子比率计之至少为30%。2.如申请专利范围第1项之标识物,其中该合金之铁钴混合比例以原子比率计之至少为70%。3.如申请专利范围第2项之标识物,其中该合金含充分之矽和硼比例使该合金铸成非晶形。4.如申请专利范围第3项之标识物,其中该合金之铁钴之个别比例以原子比率计之是大致相等的。5. 如申请专利范围第4项之标识物,其中该合金基本上为和@fl 其中之一。6.如申请专利范围第1项之标识物,其中该非晶形细条实质上为丝带状。7.一种用在磁力电子物品监视系统标识物之制造方法,包含以下步骤:提供一种由铁钴合金形成之非晶形磁力元件,其中钴的比例以原子比率计之至少为30%;以及将磁力元件装在一靠近偏压元件之安装装置中,其中偏压元件对磁力元件提供一直流磁力偏压场使磁力元件具一预定之磁力共振频率。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该合金之铁钴混合比例以原子比率计之至少为70%。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该非晶形磁致伸缩元件实质上为丝带状。10.一种用在磁力电子物品监视系统之标识物的制造方法,该方法含下述步骤:施加一饱和磁场至一非晶形磁性元件;在施加该磁场期间于温度460至540℃之范围内加热该元件至少5分钟;以及允许该退火元件冷却至室温。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该非晶形磁性元件为一丝带且有一纵轴,并且横向施加该饱和磁场至该元件之该纵轴。12.如申请专利范围第11项之方法,并含在接近一磁性元件之安装装置中安装该退火如冷却元件之步骤,该磁性元件为该元件提供一直流磁性偏压场,使得元件有一预定之磁力共振频率。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该非晶形磁性元件为一铁钴之合金,钴原子比率至少为30%。14. 如申请专利范围第13项之方法,其中@qf 该非晶形磁性元件基本上含@fl 和@fl 其中之一。15.一种用在磁力电子物品监视系统之标识物,含一磁致伸缩元件,藉着将一非晶形磁性组件加以退火形成,而施加一饱和磁场至该组件且在温度为460℃至540℃之范围内加热该组件至少5分钟。16.如申请专利范围第15项之标识物,其中该非晶形磁性元件实质上为丝带状。17.如申请专利范围第15项之标识物,其中该非晶形磁性元件为一铁钴合金,钴原子比率至少为30%。18. 一种用在磁力电子物品监视系统之标识物,含:(a) 一非晶形磁致伸缩元件;(b) 一邻接该磁致伸缩元件之偏压元件;(c) 该磁致伸缩元件和该偏压元件含在一外罩中;(d) 该外罩之整个厚度小于0.065寸。19.如申请专利范围第18项之标识物,其中该外罩之整个原度小于0.030寸。20.如申请专利范围第18项之标识物,其中该外罩之整个厚度约0.005寸。21.如申请专利范围第18项之标识物,其中该磁致伸缩元件由一铁钴合金形成,钴原子比率至少为30%。22.一种用在磁力电子物品监视系统之标识物制法,此方法含下述步骤:(a) 制造一非晶形磁致伸缩元件;以及(b)安装该磁致伸缩元件和一偏压元件于一外罩内,该外罩之整个厚度小于0.065寸。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该外罩之整个原度小于0.030寸。24.如申请专利范围第23项之方法,其中该外罩之整个厚度约0.005寸。25.如申请专利范围第22项之方法,其中制造该磁致伸缩元件之该步骤含将一非晶形磁性材料加以退火。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该磁致伸缩元件由一铁钴合金形成,钴原子比率至少为30%。27. 一种用在磁力电子物品监视系统之标识物,含:(a) 一非晶形磁致伸缩元件;(c) 一邻接该磁致伸缩元件之偏压元件;以及(d)该磁致伸缩元件具磁滞圈特性,使得该磁致伸缩元件当在一变化电磁场中,不会产生可侦测之谐振频率。28.如申请专利范围第27项之标识物,其中该偏压元件当暴露至一以一选定频率变化之脉冲电磁场时经磁性偏压成使该磁致伸缩元件产生机械共振。29.如申请专利范围第28项之标识物,其中该磁致伸缩元件产生机械共振并在变化电磁场停止后一段期间产生机械扰动其频率可由调谐至该频率之接收器侦测到;以及当该偏压元件处于消磁状况时,在变化电磁场停止后之期间,该磁致伸缩元件无法产生可由该接收器侦测到之频率的机械扰动。30. 一种形成磁致伸缩元件之方法,此方法含下述步骤:(a) 提供一非晶性磁性材料;以及(c)在一饱和磁场下对该材料加热处理,实施该加热处理使该材料之磁滞特性可以平顺。31.如申请专利范围第30项之方法,其中该非晶形磁性材料形成一具有纵轴之丝带状细条,且该磁场实质上横向施力至该材料之该纵轴上。32.如申请专利范围第31项之方法,并含冷却该材料之步骤:在该加热处理步骤后,运送该材料经过一未加热之包围区域,使得该材料在至少两分钟期间内冷却至室温。33.在一磁力电子物品系统中,作为标识物使用之磁致伸缩元件之制法,含;(a) 选定一非晶形磁性材料;(b)将该材料切成细条,具一固定的单一的预选长度,最终使得此细条在一期望之频率下作机械共振;(c)将该细条在一强度至少500磁强单位(oersteds)之横向磁场下,温度在300℃和540℃之间退火2至60分钟;以及(d)在强度至少500磁强单位(oersteds)之横向磁场下,以不少于两分钟之期间将该细条冷却至室温;因此,该细条展现磁致伸缩特性,具有该期望的机械共振频率,且在振铃期间具独特的可侦测的信号。34.如申请专利范围第33项之方法,其中该材料之组成含铁、钴、矽和硼,其中钴以原子量计之至少为30%。35.如申请专利范围第33项之方法,其中该切割步骤系将材料切成一批细条,符合该预选之固定单一长度,一批至少含10细条。36.如申请专利范围第35项之方法,其中一批至少含50细条。37.一种用在磁力电子物品监视系统之标识物,含一由选定一非晶形磁性材料做成之磁致伸缩元件,将该材料切成一具有预定固定之单一长度之细条,最终使此细条在一期望之频率下作机械共振,在一横向磁场中,温度300℃和540℃之间将此细条退火2至60分钟,并在强度至少500磁强单位(oersteds)之横向磁场下,以不少于两分钟之期间将该细条冷却至室温;其中该细条展现磁致伸缩特性,具有该期望的机械共振频率,且在振铃期间具独特的可侦测信号。图示简单说明:图1为一等角图,示出一根据本发明所装设之磁力标识物之元件。图2为一示出在退火温度范围中所感应的异向性数量之图。图3绘出一先前技术之磁致伸缩标识物和一根据本发明所制造之标识物之个别磁滞特性。图4为一示出在一退火温度范围所得之个别振铃特性之图。图5为一条状图,示出根据本发明之切成均一长度且加以退火之一组样本的共振频率。图6A和6B分别为根据先前技术和根据本发明之标识物之概要切面正视图。图7为使用图1之磁力标识物之电子物品监视系统之概要方 |
