| 主权项 |
1. 一种混合式肖特基注入场效电晶体,被积体化于一SOI(Silicon On Insulator)基板上,该基板具有藉由一隔离层而与一半导体基板分离之第一导电型态的矽层,包括:第二导电型态的第一及第二扩散区域,被形成于该矽层之一主要表面上,且其二者为分离;该第一导电型态之一第三扩散区域,形成于该第一扩散区域之内;一隔离层从该第三扩散区域之一部份覆盖于该第二扩散区域之上;一闸极电极形成于该第一及第三扩散区域及该矽层上之该隔离层之上;一阴极电极,连接至该第三扩散区域与该第一扩散区域;一阳极电极,在形成于该矽层内从一闸极隔离层经过该第二扩散区域的一个沟槽内被填满电极材料,藉此集中该阳极电极上之该第三扩散区域之电子电流。2. 如申请专利范围第1项之混合式肖特基注入场效电晶体,其中该第一至第三扩散区域的每一个被掺杂P型及N型杂质,而该矽层系一掺杂N型杂质的上层(epi-layer)。3.一种混合式肖特基注入场效电晶体,被积体化于一SOI(Silicon On Insulator)基板上,该基板具有藉由一隔离层而与一半导体基板分离之第一导电型态的矽层,包括:第二导电型态的第一及第二扩散区域,被形成于该矽层之一主要表面上,且其二者为分离;该第一导电型态之一第三扩散区域,形成于该第一扩散区域之内;一隔离层从该第三扩散区域之一部份覆盖于该第二扩散区域之上;一闸极电极形成于该第一及第三扩散区域及该矽层上之该隔离层之上;一阴极电极,连接至该第三扩散区域与该第一扩散区域;一阳极电极,在形成于该矽层内从一闸极隔离层经过该第二扩散区域的一个沟槽内被填满电极材料,并且具有一第四扩散区域,该第四扩散区域系为于该第二矽层之上并被掺杂第二导电型态的杂质,藉此集中该阳极电极上之该第三扩散区域之电子电流。4. 如申请专利范围第1项之混合式肖特基注入场效电晶体,其中该第一至第四扩散区域的每一个被掺杂P型及N型杂质,而该矽层系一掺杂N型杂质的上层。图示简单说明:第一图:系习知混合式肖特基注入场效电晶体之示意图;第二图:系图一之内部电流活动之二维模拟图;第三图:系本发明之混合式肖特基注入场效电晶体;第4A图:系图三之一实施例的内部电流活动之二维模拟图;第4B图:系图三之另一实施例的内部电流活动之二维模拟图;第五图:系本发明与习知技术之二实施例之间的阳极施加电压与栓锁电流的特性比较。第六图:系本发明与习知技术之二实施例之间的阳极电流与关闭时间(turn off time)的特性比较。第七图:系本发明与习知技术之二实施例之间的关闭时间 |
