METHOD OF WET-CLEANING IMPURITIES ON SURFACE OF SILICON SUBSTRATE USING REACTION RATE RESTRICTION,申请号KR1019930012394-传众专利搜索

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发明名称	METHOD OF WET-CLEANING IMPURITIES ON SURFACE OF SILICON SUBSTRATE USING REACTION RATE RESTRICTION
摘要
申请公布号	KR1019970000699(B1)	申请公布日期	1997.01.18
申请号	KR1019930012394	申请日期	1993.07.02
申请人		发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
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