发明名称 半导体雷射装置
摘要 本创作系提供一种半导体雷射装置,主要系由一套管、一垫圈、一透镜、一环体、一基座所构成,套管系为一中空管体,其前端呈一由管中心向外扩张一适当角度之锥状结构,于该锥状结构背部之套管内部设有一透镜卡合部,依序将垫圈、透镜置入透镜卡合部,于透镜卡合部后之该套管内设有环体卡合部,供环体卡置于内成紧配合,藉环体将垫圈、透镜紧迫于透镜卡合部内,垫圈具有缓冲透镜所受压力之作用,于套管内壁末端设有螺纹部,基座周缘则设有可与之配合之螺纹部,藉两螺纹部配合以调整基座与透镜间之距离,再于两者末端间所形成之沟槽内封胶,藉封胶与前述之垫圈两者形成一气密效果,于基座上设有一晶片与一光度侦测器,于基座上设有复数之向外延伸之导脚以连接控制电路板,前述晶片与光度侦测器以电源线各与一导脚连接,当晶片发出雷射光源时,便由光度侦测器侦测到讯号并回授至控制电路,使晶片得到固定之光输出功率,于晶片发出电射光源之同时,电射光便透过透镜完成聚焦,由于套管前端设有锥状结构,故可避免形成光圈,其结构简单、组合方式简便且确实,且可得最佳之雷射效果,确为一具有高度实用性、新颖性与首创作性之创作。
申请公布号 TW296867 申请公布日期 1997.01.21
申请号 TW083203165 申请日期 1994.03.09
申请人 方础股份有限公司 发明人 黄肇基
分类号 H01S3/02 主分类号 H01S3/02
代理机构 代理人 吴昌梁 台北巿忠孝东路四段三一一号十二楼之一
主权项 1. 一种半导体雷射装置,主要由一套管、一垫圈、一透镜、一环体、一基座所构成,套管系为一中空管体,其前端呈一由管中心向外扩张一适当角度之锥状结构,于该锥状结构背部之套管内部设有一透镜卡合部,依序先将垫圈置入,再将透镜置入该透镜卡合部,于透镜卡合部后之该套管内部设有一环体卡合部,系供环体卡置于内成一紧配合,藉环体将垫圈、透镜紧迫于透镜卡合部内,于套管内壁之末端设有螺纹部,基座之周缘则设有可与之配合之螺纹部,于基座上之位于套管内部之面上设有一晶片与一光度侦测器,该晶片系置于一设置于基座上并与之成垂直走向之一平台上,而光度侦测器系设置于基座上,晶片与光度侦测器系互成90度之相对设置位置,于基座上设有复数之向外延伸之导脚连接一控制电路板,前述晶片与光度侦测器以电源线各与一导脚连接者。2. 如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其光度侦测器系设置于平台上,晶片系设置于光度侦测器上者。3. 如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其控制电路板系呈圆形,其上设有复数之孔洞,该圆形电路板系卡合于套管之末端者。4. 如申请专利范围第3项所述之半导体雷射装置,其光度侦测器系设置于平台上,晶片系设置于光度侦测器上者。5. 如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其平台与控制电路板系以一半导体取代者。6. 如申请专利范围第5项所述之半导体雷射装置,其光度侦测器系设置于半导体内,晶片系设置于半导体上之前部者。7. 如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其基座锁合于套管后,再于两者末端间所形成之沟槽内封胶者。图示简单说明:第一图A之习用雷射装置之分解立体图。第一图B之习用雷射装置之组合剖面图。第二图系本创作之一较佳实施例之分解立体图。第三A图系本创作之一较佳实施例之组合剖面图。第三B图系本创作之一较佳实施例之聚光剖面示意图。第四A图系本创作另一较佳实施例之组合上视剖面图。第四B图系本创作另一较佳实施例之组合侧视剖面图。第五A图系本创作之控制电路板之另一实施例图。第五B图系使用第四A图之圆形电路板时之实施例之聚光示意图。第六A图系本创作又一较佳实施例之组合上视剖面图。
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