| 主权项 |
1. 一种电容器,包括:一矽基材(1);一多结晶性矽层(3),形成于该矽基材上;一下电极层,包含该多结晶性矽层上防止矽扩散的导电层(4),和该防止矽扩散的导电层上形成之抗氧化导电层(5);一高介质常数层(6),形成于该抗氧化导电层之顶面和侧面;以及一上电极层(7),形成于该高介质常数层上,该防止矽扩散的导电层系与该高介质常数层隔离者。2. 如申请专利范围第1项之电容器,又包括该半导体基材上形成的绝缘层(2),该多结晶性矽层系形成于该绝缘层之接触洞(CONT)内者。3. 如申请专利范围第2项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层,系形成于该绝缘层之接触洞内者。4. 如申请专利范围第3项之电容器,其中该抗氧化层的下部,系形成于该绝缘层之接触洞内者。5. 如申请专利范围第1项之电容器,其中该防止矽扩散层的宽度,与该抗氧化导电层宽度大约相同,该电容器又包括侧壁绝缘隔体(8),覆盖于该防止矽扩散的导电层侧壁者。6. 如申请专利范围第1项之电容器,其中该防止矽扩散层的宽度,较该抗氧化导电层宽度为小,该抗氧化导电层覆盖该防止矽扩散的导电层侧壁者。7. 如申请专利范围第1项之电容器,其中该防止矽扩散层的宽度,较该抗氧化导电层宽度为小,该电容器又包括侧壁绝缘隔体(8),形成于该抗氧化导电层下方,以覆盖该防止矽扩散的导电层侧壁者。8.如申请专利范围第1项之电容器,其中又包括矽接触层(9),介置于该多结晶性矽层与该防止矽扩散的导电层之间,该矽接触层系与该高介质常数层隔离者。9. 如申请专利范围第1项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。10.如申请专利范围第1项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。11. 如申请专利范围第8项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。12. 如申请专利范围第1项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。13. 一种电容器,包括:一矽基材(1);一绝缘层(2),形成于该半导体基材上;一下电极层,包含防止矽扩散的导电层(4),形成于该矽基材上,于该绝缘层形成的接触洞(CONT)内,以及抗氧化导电层(5),形成于该防止矽扩散的导电层上;一高介质常数层(6),形成于该抗氧化导电层的顶面和侧面;以及一上电极层(7),形成于该高介质常数层上,该防止矽扩散的导电层,系与该高介质常数层隔离者。14. 如申请专利范围第13项之电容器,其中该抗氧化层的下部,系形成于该绝缘层之接触洞内者。15. 如申请专利范围第13项之电容器,又包括矽接触层(9),形成于该绝缘层之该接触洞内,并介置于该多结晶性矽层和该防止矽扩散的导电层之间者。16. 如申请专利范围第13项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。17. 如申请专利范围第13项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铗、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。18. 如申请专利范围第15项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。19. 如申请专利范围第13项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。20. 一种电容器之制法,包括步骤为:在一矽基材(1)上形成一绝缘层(2);在该绝缘层打一接触洞(CONT);将多结晶性矽塞(3)埋入该绝缘层之接触洞内;在该多结晶性矽塞和该绝缘层上,形成一防止矽扩散的导电层(4);在该防止矽扩散的导电层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该抗氧化导电层和该防止矽扩散的导电层,形成一下电极层;只在该防止矽扩散的导电层侧壁,形成一侧壁绝缘隔体(8);在该抗氧化导电层和该侧壁绝缘隔体上,形成一高介质常数层(6);以及在该高介质常数层上,形成一上电极层(7)。21. 如申请专利范围第20项之方法,又包括在该多结晶性矽塞上形成矽接触层(9)之步骤,在该多结晶性矽塞埋设之后,和形成该防止矽扩散的导电层之前者。22.如申请专利范围第20项之方法,又包括下列步骤:于该多结晶性矽塞埋设之后,在该多结晶性矽塞上形成一耐火金属层;以及于氮氛围内,在该耐火金属层上进行加热退火操作,以形成一矽接触层(9)。23. 如申请专利范围第20项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。24. 如申请专利范围第20项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。25. 如申请专利范围第21项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。26. 如申请专利范围第22项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。27. 如申请专利范围第20项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。28. 一种电容器之制法,包括如下步骤:在一矽基材(1)上形成一绝缘层(2);在该绝缘层中打一接触洞(CONT);将一多结晶性矽塞(3)埋设于该绝缘层之接触洞内;在该多结晶性矽塞和该绝缘层上,形成一防止矽扩散的导电层(4);在该防止矽扩散的导电层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该防止矽扩散的导电层,形成一第一下电极层;在该第一下电极层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该抗氧化导电层,形成一第二下电极层,该第二下电极层的宽度较该第一下电极层的宽度为大;在该第二下电极层和该绝缘层上,形成一高介质常数层(6);以及在该高介质常数层上,形成一上电极层者。29. 如申请专利范围第28项之方法,又包括在该多结晶性矽塞上形成矽接触层(9)之步骤,在该多结晶性矽塞埋设之后,和形成该防止矽扩散的导电层之前者。30.如申请专利范围第28项之方法,又包括下列步骤:于该多结晶性矽塞埋设之后,在该多结晶性矽塞上形成一耐火金属层;以及于氮氛围内,在该耐火金属层上进行加热退火操作,以形成一矽接触层(9)。31. 如申请专利范围第28项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。32. 如申请专利范围第28项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。33. 如申请专利范围第29项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。34. 如申请专利范围第30项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。35. 如申请专利范围第28项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。36. 一种电容器之制法,包括如下步骤:在一矽基材(1)上形成一绝缘层(2);在该绝缘层中打一接触洞(CONT);将一多结晶性矽塞(3)埋设于该绝缘层之接触洞内;在该多结晶性矽塞和该绝缘层上,形成一防止矽扩散的导电层(4);在该防止矽扩散的导电层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该抗氧化导电层和该防止矽扩散的导电层,形成一下电极层;在形成该下电极层上后,只侵蚀该防止矽扩散的导电层侧面;于侵蚀该防止矽扩散的导电层后,在该抗氧化导电层下方,而在该防止矽扩散的导电层侧壁上,形成一侧壁绝缘隔体(8);在该抗氧化导电层和该侧壁绝缘隔体上,形成一高介质常数层(6);以及在该高介质常数层上,形成一上电极层(7)。37. 如申请专利范围第36项之方法,又包括在该多结晶性矽塞上形成矽接触层(9)之步骤,在该多结晶性矽塞埋设之后,和形成该防止矽扩散的导电层之前者。38.如申请专利范围第36项之方法,又包括下列步骤:于该多结晶性矽塞埋设之后,在该多结晶性矽塞上形成一耐火金属层;以及于氮氛围内,在该耐火金属层上进行加热退火操作,以形成一矽接触层(9)。39. 如申请专利范围第36项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。40. 如申请专利范围第36项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。41. 如申请专利范围第37项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。42. 如申请专利范围第38项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。43. 如申请专利范围第36项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。44. 一种电容器之制法,包括如下步骤:在一矽基材(1)上形成一绝缘层(2);在该绝缘层中打一接触洞(CONT);将一多结晶性矽塞(3)埋设于该绝缘层之接触洞内;将该多结晶性矽塞上之一防止矽扩散的导电层(4),埋设于该导电层之接触洞中;在该防止矽扩散的导电层和该绝缘层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该抗氧化导电层,与该防止矽扩散的导电层形成一下电极层;在该下电极层和该绝缘隔体上,形成一高介质常数层(6);以及在该高介质常数层上,形成一上电极层(7)。45. 如申请专利范围第44项之方法,又包括在该多结晶性矽塞上形成矽接触层(9)之步骤,在该多结晶性矽塞埋设之后,和形成该防止矽扩散的导电层之前者。46.如申请专利范围第44项之方法,其中该抗氧化导电层形成步骤,系将该抗氧化导电层的下部形成于该绝缘层的接触洞中。47. 如申请专利范围第44项之方法,又包括下列步骤:于该多结晶性矽塞埋设之后,在该多结晶性矽塞上形成一耐火金属层;以及于氮氛围内,在该耐火金属层上进行加热退火操作,以形成一矽接触层(9)。48. 如申请专利范围第44项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。49. 如申请专利范围第44项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。50. 如申请专利范围第45项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。51. 如申请专利范围第46项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。52. 如申请专利范围第45项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。53. 一种电容器之制法,包括如下步骤:在一矽基材(1)上形成一多结晶性矽层(3');在该多结晶性矽层上,形成一防止矽扩散的导电层(4);侵蚀该防止矽扩散的导电层和该多结晶性矽层,形成一第一下电极层;在该第一下电极层和该矽基材上,形成一绝缘层(2);以化学机械式磨光该绝缘层,使该防止矽扩散的导电层露出;在该防止矽扩散的导电层和该绝缘层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该抗氧化导电层,形成一第二下电极层;在该第二下电极层和该绝缘隔体上,形成一高介质常数层(6);以及在该高介质常数层上,形成一上电极层(7)者。54.如申请专利范围第53项之方法,又包括步骤为于形成该多结晶性矽层之后,而在形成该防止矽扩散的导电层之前,在该多结晶性矽层上,形成具有凹部的矽接触层(a)者。55. 如申请专利范围第53项之方法,又包括下列步骤:于该多结晶性矽塞埋设之后,在该多结晶性矽塞上形成一耐火金属层;以及于氮氛围内,在该耐火金属层上进行加热退火操作,以形成一矽接触层(9)。56. 如申请专利范围第53项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。57. 如申请专利范围第53项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。58. 如申请专利范围第54项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。59. 如申请专利范围第55项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。60. 如申请专利范围第53项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1 Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。61. 一种电容器之制法,包括如下步骤:在一矽基材(1)上形成一绝缘层(2);在该绝缘层中打一接触洞(CONT);将一防止矽扩散的导电层(4)埋设于该绝缘层的接触洞内;在该防止矽扩散的导电层和该绝缘层上,形成一抗氧化导电层(5);侵蚀该抗氧化导电层,与该防止矽扩散的导电层形成一下电极层;在该下电极层和该绝缘隔体上,形成一高介质常数层(6);以及在该高介质常数层上,形成一上电极层(7)。62. 如申请专利范围第61项之方法,又包括步骤为,于打接触洞之后,而在埋设该防止矽扩散的导电层之前,在该矽基材上,形成一矽接触层(9)。63. 如申请专利范围第61项之方法,其中该抗氧化导电层形成步骤,系将该抗氧化导电层的下部形成于该绝缘层的接触洞中。98. 如申请专利范围第61项之方法,又包括步骤为:于形成该接触洞后,在该矽基材上,形成一耐火金属层;以及在氮氛围内,在该耐火金属层上,进行加热退火操作,以形成一矽接触层(9)。99. 如申请专利范围第61项之电容器,其中该防止矽扩散的导电层包括材料选自钛、钨、钽、钼、钴、镍、氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼、氮化钴、氮化镍、含氮钛、含氮钨、含氮钽、含氮钼、含氮钴、含氮镍、矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。100. 如申请专利范围第61项之电容器,其中该抗氧化导电层包括材料选自钌、铼、锇、铱、铑、铂、钯、氧化钌、氧化铼、氧化锇、氧化铱、氧化铑、矽化钌、矽化铼、矽化锇、矽化铱、和矽化铑者。101. 如申请专利范围第62项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。102. 如申请专利范围第64项之电容器,其中该矽接触层包括材料选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴、和矽化镍者。103. 如申请专利范围第61项之电容器,其中该高介质常数层包括材料选自ABO@ss3.Bi@ss2O@ss2(X@ssm@ss-@ss1Z@ssmO@ss3@ssm@ss-@ss1)(m=1,2,3,4,5),和Ta@ss2O@ss5,其中A包含钡、锶、铅、钙、锂、钾至少其一,B包含锗、钛、钽、铌、镁、锰、铁、锌、钨至少其一,X包含钡、锶、铅、钙、钾、铋至少其一,而Z包含钛、钽、铌、钨至少其一者。图示简单说明:图1为第一种习知堆式电容器的断面图;图2为第二种习知堆式电容器的断面图;图3为图1和图2堆式电容器的接触电阻和电容密度特性之曲线图;图4为本发明堆式电容器第一具体例断面图;图5为图4堆式电容器的接触电阻和电容密度特性之曲线图;图6为本发明堆式电容器第二具体例断面图;图7为本发明堆式电容器第三具体例断面图;图8为本发明堆式电容器第四具体例断面图;图9为本发明堆式电容器第五具体例断面图;图10为本发明堆式电容器第六具体例断面图;图11为本发明堆式电容器第七具体例断面图;图12为本发明堆式电容器第八具体例断面图;图13为本发明堆式电容器第九具体例断面图;图14为本发明堆式电容器第十具体例断面图;图15为本发明堆式电容器第十一具体例断面图;图16为本发明堆式电容器第十二具体例断面图;图17为本发明堆式电容器第十三具体例断面图;图18为本发明堆式电容器第十四具体例断面图;图19为本发明堆式电容器第十五具体例断面图;图20为本发明堆式电容器第十六具体例断面图;图21为本发明堆式电容器第十七具体例断面图;图22为本发明堆式电容器第十八具体例断面图;图23为本发明堆式电容器第十九具体例断面图;图24为本发明堆式电容器第二十具体例断面图;图25为本发明堆式电容器第二十一具体例断面图;图26A至26G为说明图4堆式电容器制法之断面图;图27A至27B为说明图12和19堆式电容器制法之断面图;图28A至28F为说明图6堆式电容器制法之断面图;图29A至29B为说明图13和20堆式电容器制法之断面图;图30A至30H为说明图7堆式电容器制法之断面图;图31A和31B为说明图14和21堆式电容器制法之断面图;图32A至32G为说明图8堆式电容器制法之断面图;图33A、33B和33C为说明图15堆式电容器制法之断面图;图34A至34G为说明图8堆式电容器制法之断面图;图35为说明图15堆式电容器制法之断面图;图36A至36G为说明图9堆式电容器制法之断面图;图37A、37B和37C为说明图23堆式电容器制法之断面图;图38A和38E为说明图10堆式电容器制法之断面图;图39A和39B为说明图17和24堆式电容器制法之断面图; 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