| 摘要 |
본 발명은 대기 모드에서 동작하는 메모리의 각 노드별로 비트 에러 레이트(BER, bit error rate)를 획득하는 제1 획득부, 상기 비트 에러 레이트를 참조하여 상기 메모리의 각 노드에 대한 최적화된 스크러빙 레이트(scrubbing rate)를 획득하는 제2 획득부 및 상기 최적화된 스크러빙 레이트에 대응하는 스크러빙 전력과 누설 전류에 대응하는 누설 전력이 포함된 대기 전력의 최소값을 적응적으로 결정하여 상기 메모리의 각 노드를 제어하는 제어부를 포함하는 방사능 환경에서 메모리, 메모리의 동작 방법, 전력제어 장치 및 전력제어 방법을 개시한다. |
