| 主权项 |
1. 一种电荷耦合元件,包括:一半导体基片(1);许多形成于该半导体基片上之第一半导体区域(2`-1,2-2,...);许多形成于该半导体基片上之第二半导体区域(3-1,3-2,...),各该半导体区域配置于相邻该第一半导体区域之间;形成于该半导体基片上之第三半导体区域(4),且紧邻最外层该第一半导体区域(2`-1)之一;许多第一电极(EO`,EO),各形成于该第一半导体区域之一第一部分上方;以及许多第二电极(E1`,E1),各形成于该第一半导体区域之一与该第二半导体区域之一之一第二部分上方;一最外层之该第一电极(EO`)与其它该第一电极呈电性隔离。2. 如申请专利范围第1项之元件,其中一第一电压(VM`)施加于该最外层之一第一电极(EO`),且一不同于该第一电压之第二电压(VM)施加于其它之该第一电极,使得该最外层一第一电极下方之该第一半导体区域之电位阱比其它该第一电极下方之该第一半导体区域之电位阱深。3. 如申请专利范围第1项之元件,其中该第一、第二以及第三半导体区域之导电形式系与该半导体基片之导电形式相反。4. 如申请专利范围第1项之元件,其中该第一与第二半导体区域之导电形式系与该半导体基片之导电形式相同,以及该第三半导体区域之导电形式系与该半导体基片之导电形式相反。5. 如申请专利范围第1项之元件,其中每两个该第二电极系由两相反相位电压来作业。6. 一种电荷耦合元件,包括:一个具有半导体区域(2`-1,2-2,...和3-1,3-2,...)之半导体基片(1);形成于该半导体区域上方之许多非活性屏障电极(EO`,EO);形成于该半导体区域上方之许多第一电极(E1`,E1),各该第一电极配置于两个该非活性屏障电极之间;形成于该半导体区域上于许多第二电极(E2),各该第二电极配置于两个该非活性屏障电极之间与两个该第一电极之间;一最外层之该非活性屏障电极(EO`)与其它该非活性屏障电极呈电性隔离。7. 如申请专利范围第6项之元件,其中一第一电压(VM`)施加于该最外层之一非活性屏障电极(EO`),且一不同于该第一电压之第二电压(VM)施加于其它之该非活性屏障电极,使得该最外层一非活性屏障电极下方之该第一半导体区域之电位阱比其它该非活性屏障电极下方之该第一半导体区域之电位阱深。8. 如申请专利范围第6项之元件,其中该半导体区域之导电形式系与该半导体基片之导电形式相反。9. 如申请专利范围第6项之元件,其中该半导体区域之导电形式系与该半导体基片之导电形式相同。10. 如申请专利范围第6项之元件,其中该第一与第二电极系由两相反相位电压来作业。图示简单说明:图1A所展示的系习用技术之电荷耦合元件之截面图;图1B系图1A之元件之平面图;图2A和图2B系施加于图1A和1B元件之电压之定时图;图3A、3B和3C系解释图1A和1B之元件作业之电位图;图4A和图4B系图3A之电位图之放大图;图5A系根据本发明实施例之电荷耦合元件之截面图;图5B系图5A之元件之平面图;图6A和图6B系施加于图5A和5B元件之电压之定时图;图7A、7B和7C系解释图5A和5B中之元件作业之电位图;图8A、8B系图7A电位图之放大图;图9所展示的系修饰过之图5A元件之截面图;图10所展示的系另一个修饰过之图5A元件之截面图;以及 |
