| 主权项 |
1. 一种用以在上面形成有零件的半导体晶圆表面上进行整体与局部平面化的方法,该方法包括以下步骤:a. 在该等零件间的空隙中充填中间绝缘材料;b. 在晶圆上涂覆可变形膜;c. 在覆膜晶圆上施以均匀压力以使该膜变形,俾形成平坦表面。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中该中间绝缘体为用以充填形成于晶圆上的零件间的空隙的材料。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该可变形膜系以可在高温与高压中变形的材料制成。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中还包括以下步骤:将该可变形膜维持于该可变形膜可在压力下变形的温度。5. 一种半导体晶圆表面之整体与局部平面化的方法,该方法包括以下步骤:a. 在晶圆上涂覆可变形膜;b. 控制两个具有相当平坦且平行之表面的机座的温度;c. 在该等平行表面间挤压该晶圆,以使该膜变形而在其上形成平坦表面。6. 如申请专利范围第5项之方法,其中还包括以下步骤:继续挤压该晶圆直到该可变形膜凝固。7. 如申请专利范围第5项之方法,其中该控制步骤包括在可变形膜凝固之前提高其温度,而一旦该可变形膜凝固即降低该温度。8. 如申请专利范围第5项之方法,其中该充填步骤使晶圆上的零件的外观比不大于约1.5/1。9. 如申请专利范围第5项之方法,其中该可变形膜包括由铸形玻璃、低熔点金属、低熔点合金、树脂与软熔玻璃的组合中所选出的一种材料。10. 一种用以在上面形成有零件的半导体晶圆表面上进行整体与局部平面化的方法,该方法包括以下步骤:a. 在该等零件间的空隙中充填中间绝缘材料;b. 在晶圆上涂覆可在凝固期间变形的可变形膜;c. 将该覆膜晶圆置于相当平坦的控温盘中;d. 在该膜凝固期间以一选定之压力将一相当平坦的控温板压在覆有该膜的晶圆表面上,以在该膜凝固时形成相当平坦的表面。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中在该充填步骤后,该晶圆上零件的外观比不大于约1.5/1。12. 如申请专利范围第10项之方法,其中该中间绝缘体为用以充填形成于晶圆上的零件间的空隙的材料。13. 如申请专利范围第10项之方法,其中该可变形膜系以可在高温与高压中变形的材料制成。14. 如申请专利范围第10项之方法,其中还包括以下步骤:将该可变形膜维持于该可变形膜可在压力下变形的温度。15. 一种半导体晶圆表面之整体与局部平面化的方法,该方法包括以下步骤:a. 在晶圆上涂覆可在凝固期间变形的可变形膜;b. 将该覆膜晶圆置于相当平坦的控温盘中;c. 在该膜凝固期间以一选定之压力在该盘与一板中挤压该晶圆,以在该覆膜晶圆上形成顺应该板之表面形貌的表面。16. 如申请专利范围第15项之方法,其中还包括以下步骤:将该板与盘的温度维持在可使晶圆温度保持在所需的凝固温度上。17. 一种在晶圆表面上形成顺应于所需之表面形状之表面的装置,其组件包括:用以支撑一涂覆可变形膜材料之半导体晶圆的装置,该支撑装置具有相当平坦的表面,晶圆即置于该表面上;用以施加均匀压力至该晶圆之覆膜表面,俾在该覆膜晶圆上形成平坦表面的装置。18. 如申请专利范围第17项之装置,还包括用以控制该板与该支撑装置之温度的装置。19. 一种用以在上面形成有零件的半导体晶圆表面上进行整体与局部平面化的方法,该方法包括以下步骤:a. 在该等零件间的空隙中充填中间绝缘材料;b. 在晶圆上涂覆可在凝固期间变形的可变形膜;c. 将该覆膜晶圆置于相当平坦的控温盘中;d. 在该膜凝固期间以一选定之力施加一相当均匀的流体压力在覆有该膜的晶圆表面上,以在该膜凝固时形成相当平坦的表面。20. 如申请专利范围第19项之方法,其中在该充填步骤后,该晶圆上零件的外观比不大于约1.5/1。21. 如申请专利范围第19项之方法,其中该中间绝缘体为用以充填形成于晶圆上的零件间的空隙的材料。22. 如申请专利范围第19项之方法,其中该可变形膜系以可在高温与高压中变形的材料制成。23. 如申请专利范围第19项之方法,其中还包括以下步骤:将该可变形膜维持于该可变形膜可在压力下变形的温度。24. 如申请专利范围第1或19项之方法,其中该可变形膜系以可在高温与高压中变形的金属制成。25. 如申请专利范围第24项之方法,其中该金属系从包括锡与铝的金属组合中所选出。图示简单说明:第1图为本发明之平面化方法的流程简图;第2图为用于本发明之方法之装置的示意图,用以施加均匀压力至一可变形膜上,该膜正在一晶圆之表面被平面化;第3图;为本发明之方法之另一装置的示意图,用以施加均匀压力至一可变形膜上,该膜正在一晶圆之表面被平面 |
