| 主权项 |
1. 一种电路基板包括:一布线区,主要由一种金属材料形成,布线区具有用来做为一电极之一末端部份;一端点,用来施加一电压到布线区以便阳极处理布线区,端点则被连接到布线区的另一末端部份;及阳极处理控制装置,用来控制布线区的阳极处理程度,阳极处理控制装置为布线区的一部份,它距连接到端点的另一末端部份比距充当做为电极之末端部份还近,其中阳极处理控制装置系由端点所施加的电压来加以阳极处理的,以便形成一绝缘体。2. 根据申请专利范围第1项之电路基板,其中阳极处理控制装置具有根据在布线区末端部份的表面上所形成之一阳极处理膜厚度的一种宽度。3. 根据申请专利范围第1项之电路基板,其中阳极处理控制装置具有根据在布线区末端部份的表面上所形成之一阳极处理膜厚度的一种宽度。4. 一种电路基板包括:包含诸多电极的许多半导体装置;具有许多分支部份且主要由一种金属材料所形成之一布线区,而诸多分支部份则充当做一些半导体装置的电极;用来施加电压到布线区以便阳极处理诸多分支部份之一端点,而端点则被连接到布线区;及用来控制诸多分支部份的阳极处理程度之阳极处理控制装置。5. 根据申请专利范围第4项之电路基板,其中阳极处理控制装置是与诸多分支部份不同之布线区的一部份。6. 根据申请专利范围第5项之电路基板,其中阳极处理控制装置的部份具有的宽度比诸多分支部份的宽度还窄。7. 根据申请专利范围第6项之电路基板,其中阳极处理控制装置的宽度系根据诸多分支部份之阳极处理程度而决定的。8. 根据申请专利范围第5项之电路基板,其中阳极处理控制装置的部份是比诸多分支部份还薄。9. 根据申请专利范围第8项之电路基板,其中阳极处理控制装置的厚度系根据诸多分支部份之阳极处理程度而决定的。10. 根据申请专利范围第4项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都是诸多分支部份的部份,并且彼此都被并联连接,而每一阳极处理控制装置具有的宽度则比诸多分支部份之一对应部份的宽度还窄。11. 根据申请专利范围第10项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都有不同的宽度。12. 根据申请专利范围第11项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置的宽度都是根据诸多分支部份之阳极处理程度而决定的。13. 根据申请专利范围第4项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都是诸多分支部份的部份,并且都被串联连接,而每一阳极处理控制装置具有的宽度则比诸多分支部份之一对应部份的宽度还窄。14. 根据申请专利范围第13项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都有不同的宽度。15. 根据申请专利范围第14项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置的宽度都是根据诸多分支部份之阳极处理程度而决定的。16. 根据申请专利范围第4项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都是诸多分支部份的部份,并且彼此都被并联连接,而每一阳极处理控制装置具有的厚度则比诸多分支部份之一对应部份的厚度还小。17. 根据申请专利范围第16项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都有不同的厚度。18. 根据申请专利范围第17项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置的厚度都是根据诸多分支部份之阳极处理程度而决定的。19. 根据申请专利范围第4项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都是诸多分支部份的部份,并且彼此都被串联连接,而每一阳极处理控制装置具有的厚度则比诸多分支部份之一对应部份的厚度还小。20. 根据申请专利范围第19项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置都有不同的厚度。21. 根据申请专利范围第20项之电路基板,其中诸多阳极处理控制装置的厚度都是根据诸多分支部份之阳极处理程度而决定的。22. 一种电路基板包括:包括诸多电极的许多半导体装置;具有许多分支部份且主要由一种金属材料所形成之一布线区,而诸多分支部份则充当做一些半导体装置的电极,用来制造该电路基板的一种方法,包括以下诸多步骤:在一基板上形成一半导体层;在半导体层上形成主要由金属材料所制成之一层,并对该层施以图案设计,以便形成布线区,而用来施加一电压布线区之一端点则被连接到布线区;藉着施加电压到布线区而阳极处理布线区,以便在诸多分支部份上形成诸多阳极处理膜;及藉着将离子植入半导体层中而形成源极区和汲极区,其中用来形成主要由金属材料所制成之层的步骤,随着布线区同时形成:用来控制诸多分支部份之阳极处理程度的阳极处理控制装置。23. 根据申请专利范围第22项之用来制造电路基板的一种方法,其中形成的阳极处理控制装置具有的宽度比诸多分支部份的那些宽度还窄。24. 根据申请专利范围第22项之用来制造电路基板的一种方法,其中形成的阳极处理控制装置具有的厚度比诸多分支部份的那些厚度还小。图示简单说明:图1是用来图解说明本发明之一电路基板的主要部份之一平面图。图2A是在图1中之一直线A-A'处所取得的电路基板之一横截面图。图2B是在图1中之一直线B-B'处所取得的电路基板之一横截面图。图3A是在例1中之一阳极处理过程中,于形成诸多偏移区之前的电晶体部份之一横截面图。图3B是在例1中之一阳极处理过程中,于形成诸多偏移区之后的电晶体部份之一横截面图。图3C是在例1中之一阳极处理过程中,于形成诸多偏移区之前的阳极处理控制器部份之一横截面图。图3D是在例1中之一阳极处理过程中,于形成诸多偏移区之后的阳极处理控制器部份之一横截面图。图4A是一传统式阳极处理过程之一流程图。图4B是根据本发明之一阳极处理过程之一流程图。图5是用来图解说明例2之一电路基板的主要部份之一平面图。图6是显示诸多偏移宽度与电晶体特性之间关系之一曲线图。图7是用来图解说明例3之一电路基板的主要部份之一平面图。图8A和8B则是用来图解说明例4之一电路基板的主要部份 |
