| 发明名称 |
厚膜电阻组成物 |
| 摘要 |
本发明提出一种对ＴＣＲ之长度效应低的厚膜电阻组成物。此厚膜电阻含有钌氧化物及钌烧绿石氧化物中之至少一种作为导电组份，且特征为组成物中掺有０．０２－５．０ｗｔ．％银。 |
| 申请公布号 |
TW299450 |
申请公布日期 |
1997.03.01 |
| 申请号 |
TW082102564 |
申请日期 |
1993.04.07 |
| 申请人 |
杜邦股份有限公司 |
发明人 |
早川佳一郎;佐藤刚;威廉.柏兰德;杰洛米.戴维.史密斯 |
| 分类号 |
H01C7/00 |
主分类号 |
H01C7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼 |
| 主权项 |
1.一种与Pd/Ag(钯/银)电极或银电极组合使用之厚膜电阻组成物,其含有钌之氧化物及钌烧绿石氧化物中之至少一种以作为导电组份,其特征为该组成物含有掺入其中之 |
| 地址 |
美国 |
