| 主权项 |
1. 一种醛类之制法,由单烯烃、聚烯烃、环烯烃,或此等化合物之衍生物,与一氧化碳和氢,在钴或铑错合物做为触媒存在下,于温度20至180℃和压力0.1至30MPa反应,其中错合物具有下式:@qc [LaMbXc]@sun(A)n其中M为钴或铑做为中心原子,X为结合于中心原子的单配位或多配位之带电荷或不带电荷配合基,而L为同样结合于中心原子M的配合基,为下式之单烯类:@qc 和或下式之二碳烯类:@qc 和其中R@su1,R@su2,R@su3,R@su4,R@su5,R@su6相同或不同,为直链或支链、磺化或未磺化之C@ss1@ss-@ss7烷基、磺化或未磺化的脂肪族C@ss5@ss-@ss1@ss8单环或多环基、磺化或未磺化的C@ss2@ss-@ss5烯基、磺化或未磺化的C@ss6@ss-@ss1@ss4芳基、磺化或未磺化的C@ss7@ss-@ss1@ss9芳烷基,R@su1和/或R@su2亦可为-(CH@ss2)mPR@ss2,其中m=1,2,3,4,R为苄基、苯基、被取代苯基、 基,以及-(CH@ss2)mNR'@ss2,其中m同上,R'为烷基、乙烯基、烯丙基、苄基、芳基,还有-(CH@ss2)mOR",其中m同上,R"为烷基,尤指甲基、乙烯基、烯丙基、苄基、苯基;R@su3,R@su4,R@su5,R@su6亦可为氢,R@su3连同R@su4,和R@su5连同R@su6,各相同或不同,为熔合和磺化或未磺化C@ss3@ss-@ss7基,R@su1,R@su2,R@su4或R@su6连同配合基X可形成环,Y为饱和或不饱和、直链或支链C@ss1@ss-@ss4烷叉基,或二烷基甲矽烷叉基或四烷基二甲矽烷叉基,A为单电荷之阴离子,或多电荷阴离子之化学当量,b为1至3的整数,a为1至4b的整数,c为0或1至4b的整数,而n为0或1至6的整数者。2. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅰ)之X为氢、氢离子、卤素、卤化物离子、假卤化物、羧酸根离子、磺酸根离子、C@ss1@ss-@ss7烷基、醯胺基、醇 基、乙醯丙酮基、一氧化碳、一氧化氮、 类、异 类、单烯烃、二烯烃、炔类和芳香族基者。3. 如申请专利范围第1或2项之制法,其中式(Ⅱ)(Ⅲ)(Ⅳ)(Ⅴ)中R@su1,R@su2,R@su3,R@su4,R@su5,R@su6为甲基、异丙基、特丁基、苄基、三苯基甲基、苯基、甲苯基、二甲苯基、三苯甲基者。4. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅱ)(Ⅲ)(Ⅳ)(Ⅴ)中R@su3和R@su4为氢和甲基者。5. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅱ)(Ⅲ)(Ⅳ)(Ⅴ)中R@su3连同R@su4以及R@su5和R@su6为(CH)@ss4,(CH@ss2)@ss4,(CH@ss2)@ss5部份者。6. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅳ)和(Ⅴ)中Y为亚甲基、二甲基亚甲基、二苯基亚甲基、1,3-次苯基,和乙叉基者。7. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅳ)和(Ⅴ)中Y为二甲基甲矽烷叉基和四甲基二甲矽烷叉基者。8. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅰ)内a为1或2者。9. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅰ)内b为1者。10. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅰ)内n为0至3者。11. 如申请专利范围第1项之制法,其中式(Ⅰ)内A为卤化物或假卤化物离子、四苯基硼酸 离子、四氟硼酸离子、六氟磷酸 离子、乙酸 离子、四碳醯钴酸 离子、六氟 酸 离子、四氯 酸 离子、四氯铝酸 离子、四氯钯酸 离子者。12. 如申请专利范围第1项之制法,其中烯烃与一氧化碳和氢之反应,是在均匀溶于反应媒质内的触媒存在内进行者。13. 如申请专利范围第1项之制法,其中烯烃与一氧化碳和氢之反应,是在触媒水溶液存在下进行者。14.如申请专利范围第1项之制法,其中有机相或水相内之金属浓度,为所用烯烃系不饱和化合物之10@su-@su6至1莫耳%者。15. 如申请专利范围第14项之制法,其中@qf @ps9,9.4 有机相或水相内之金属浓度,为10@su-@su4至10@su-@su1莫耳%者。16. 如申请专利范围第1项之制法,其中反应是在80至150 |
