发明名称 减压(热)处理装置及方法
摘要 本发明之减压(热)处理装置具备有:被处理体予以搬出及搬入,并实施所搬入之被处理体之实施用之处理部;被连接于处理部之排气管;被连接于排气管路,而经由排气管路进行处理部内之排气之同时,并将处理部内之周围环境能设定成负压状态之排气装置;配置于排气管路,用以开闭排气管路之主阀;具有较主阀被连接于处理部侧之排气管路之一端部和较主阀被连接于排气侧之排气管路之另一端部,并将每单位时间之排气流量被设定成较排气管路之排气流量为小之旁通管路;配置于旁通管路中以开闭旁通管路用之辅阀;及在处理部内之压力从负压加高成(正)常压之间将关闭主阀与辅阀,而在处理部内之压力回归成压后,仅开放辅阀,以维持处理部之排气侧成负压状态用之控制部者。尤其,在主阀和处理部间之排气管路之路中,介居装设有捕捉从处理部经由排气管路所排气之排气物用之陷阱装置,而处理部内已成常压时,能阻止一度被捕捉之产生物予以蒸发而逆流之情事。
申请公布号 TW301018 申请公布日期 1997.03.21
申请号 TW083101058 申请日期 1994.02.08
申请人 东京电子东北股份有限公司;东京电子股份有限公司 发明人 宫城胜伸
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1. 一种减压(热)处理方法,包括有:将被处理体在正常压状态下搬入处理部内之第1工程;以前述被处理体安置于前述处理部内之状态下,进行处理部之排气来使处理部内之周围环境设定成负压状态之第2工程;进行处理部内之周围环境维持成负压状态之同时,在处理部内进行被处理体之处理之第3工程;终结被处理体之处理之后,停止处理部之排气,以使处理部内之压力从负压增高为正常压之第4工程;及在处理部内之压力到达正常压后,进行处理以使处理部之排气侧维持成负压状态之第5工程。2. 如申请专利范围第1项所述之减压(热)处理方法,其中,在前述第2及第3工程,将来自处理部之排气物加以捕捉,在前述第5工程,将节流处理部之排气侧通路以令来自处理部之排气物加以捕捉。3. 如申请专利范围第2项所述之减压(热)处理方法,其中,在前述第5工程中,将供给清除气体给予处理部之排气侧。4. 一种减压(热)处理装置,具备有:被处理体在内部所处理之处理部;连接于前述处理部之排气管路;连接于前述排气管路,经由排气管路来实施前述处理部内之排气之同时,并能使处理部内之周围环境设定成负压状态之排气机构;配置于前述排气管路,用以开闭排气管路之主阀;具备较前述主阀连接于处理部侧之排气管路之一端部,及较前述主阀连接于排气侧之排气管路之另一端部,而每单位时间之排气流量设定成较前述排气管路本身更小之旁通管路;配置于前述旁通管路中,用以开闭旁通管路之辅阀;及前述处理部内之压力从负压提高成正常压期间,关闭前述主阀和辅阀,而在处理部内回归成正常压之后,仅开放辅阀以维持处理部之排气侧成负压状态之控制机构。5. 如申请专利范围第4项所述之减压(热)处理装置,其中,更包括有,排气导率机构系较前述主阀介居装设于处理部侧之排气管路途中,而在前述处理部内之压力从负压回归成正常压后被实施节流者。6. 如申请专利范围第5项所述之减压(热)处理装置,其中,前述排气导率机构为蝶形阀。7. 如申请专利范围第5项所述之减压(热)处理装置,其中,更包括有,供清除气体给予前述排气导率机构和前述辅阀之间之排气管路中之清除气体供给机构。8. 如申请专利范围第7项所述之减压(热)处理装置,其中,前述清除气体供给机构系在前述处理部内之压力从负压回归成正常压之后,方予以动作来供给清除气体。9. 一种减压(热)处理装置,具备有:被处理体在内部所处理之处理部;连接于前述处理部之排气管路;连接于前述排气管路,经由排气管路来实施前述处理部内之排气之同时,并能使处理部内之周围环境设定成负压状态之排气机构;配置于前述排气管路,用以开闭排气管路之主阀;具备较前述主阀连接于处理部侧之排气气路之一端部,及较前述主阀连接于排气侧之排气管路之另一端部,而每单位时间之排气流量设定成较前述排气管路本身更小之旁通管路;配置于前述旁通管路中,用以开闭旁通管路之辅阀;及介居装设于前述主阀和前述处理部之间之排气管路途中,用以捕捉从前述处理部经前述排气管路所排气之排气物用之陷阱机构;及前述处理部内之压力从负压提高成正常压期间,关闭前述主阀和辅阀,而在处理部内回归成正常压之后,仅开放辅阀以维持处理部之排气侧成负压状态之控制机构。10. 如申请专利范围第9项所述之减压(热)处理装置,其中,更包括有,排气导率机构系较前述陷阱机构介居装设于处理部侧之排气管路途中,而在前述处理部内之压力从负压回归成正常压后被实施节流者。11. 如申请专利范围第10项所述之减压(热)处理装置,其中,前述排气导率机构为蝶形阀。12. 如申请专利范围第9项所述之减压(热)处理装置,其中,更包括有,供清除气体给予较前述陷阱机构更在处理部侧排气管路中用之供给清除气体机构。13. 如申请专利范围第12项所述之减压(热)处理装置,其中,前述清除气体供给机构系在前述处理部内之压力从负压回归成正常压之后,方予以动作来供给清除气体。14. 如申请专利范围第10项所述之减压(热)处理装置,其中,更包括有,供清除气体给予前述排气导率机构和前述陷阱机构之间之排气管路中之清除气体供给机构。15. 如申请专利范围第14项所述之减压(热)处理装置,其中,前述清除气体供给机构系在前述处理部内之压力从负压回归成正常压之后,方予以动作来供给清除气体。16. 如申请专利范围第9项所述之减压(热)处理装置,其中,更包括有,能任意调整通过前述排气管路之排气压力之排气压力控制机构。17. 如申请专利范围第16项所述之减压(热)处理装置,其中,前述排气压力控制机构系由检测前述排气管路之处理部侧近旁管路内压力用之压力察觉器,和介居装设于排气管路途中且其阀打开度能任意调整之阀机构,及响应于来自前述压力察觉器之压力信号来控制前述阀机构用之控制部所构成。18. 如申请专利范围第10项所述之减压(热)处理机构,其中,更包括有,能任意调整通过前述排气管路之排气压力之排气压力控制机构。图示简单说明:第1图是本发明之一实施例的纵(竖立)型CVD装置之主要部份的结构图。第2图是显示本发明之一实施例的各种阀的开闭作动时序图。第3图是传统的CVD装置之处理部和排气系统之概略构造图
地址 日本