| 主权项 |
1. 一种供薄膜蒸镀装置用之反应气体喷头,包括:至少两种可用以导入反应气体之反应气体入口通路;可用以使上述反应气体入口通路所导入之反应气体相混合的气体混合室;和设置在该气体混合室下游之喷嘴,其可使来自上述气体混合室之混合气体调整成均匀气流,并可将此均匀气流涂敷至基质上。2. 如申请专利范围第1项之反应气体喷头,其中,该喷嘴包括:与该气体混合室相连接之收缩通路;和与该收缩通路相连接并朝离开该收缩通路之方向扩张之扩散器。3. 如申请专利范围第2项之反应气体喷头,其中,该气体混合室拥有在位置上面对该等反应气体入口通路之开口端的偏转面,其可使上述反应气体入口通路所导入之反应气体,偏转进入该气体混合室内。4. 如申请专利范围第3项之反应气体喷头,其中,该偏转面具有朝该收缩通路逐渐缩小之横断面积。5. 如申请专利范围第3项之反应气体喷头,其中,该偏转面系椎形面。6. 如申请专利范围第3项之反应气体喷头,其中,该偏转面系扁平面。7. 如申请专利范围第1项之反应气体喷头,其中,该反应气体入口通路系彼此平行排列者。8. 如申请专利范围第1项之反应气体喷头,其中,该反应气体入口通路系以某一预定角度彼此交叉排列者。9. 如申请专利范围第1项之反应气体喷头,其中尚包括:多数可使上述反应气体入口通路所导入之反应气体相混合的气体混合室;和多数分别与此等气体混合室相联结之喷嘴。10. 如申请专利范围第1项之反应气体喷头,其中尚包括单元喷嘴体,前述气体混合室和喷嘴,即系合并在此单元喷嘴体内。11. 如申请专利范围第10项之反应气体喷头,其中尚包括多数之单元喷嘴体,前述气体混合室和喷嘴,即系合并在每一单元喷嘴体内。12. 如申请专利范围第11项之反应气体喷头,其中尚包括喷嘴基座,该等单元喷嘴体即系合并在此喷嘴基座内。13. 如申请专利范围第12项之反应气体喷头,其中尚包括分配基座,其具有可将来自该等反应气体入口通路之反应气体,导入进该等气体混合室内的气体入口通路,该分配基座系成叠层结构,而岌安装在该喷嘴基座上者。14. 如申请专利范围第13项之反应气体喷头,其中,该分配基座包括:拥有沿该分配基座之表面延伸之沟槽的平板,和另一种平板,其拥有横跨该分配基座之表面而延伸之通路,该等沟槽和通路即系用做该等气体入口通路。15. 如申请专利范围第1项之反应气体喷头,其中尚包括可容许热媒通过之热媒通路,而使上述之喷嘴及/或气体混合室能维持在一预定之温度。16. 如申请专利范围第1至15项任一项之薄膜蒸镀装置,其包括:反应至、上述朝反应室开口之喷嘴、和可将基质保持在该反应室内之基质台。图示简单说明:第1图系依据本发明之一实施例之薄膜蒸镀装置的垂直剖面简图;第2图系依据本发明之第一实施例之反应气体喷头剖面图;第3图系依据本发明之第二实施例之反应气体喷头之剖面图;第4A图系依据本发明之第三实施例之反应气体喷头之剖面图;第4B图系第4A图所示反应气体喷头之喷嘴偏离面之平面图;第5图系依据本发明之第四实施例之反应气体喷头之剖面立体透视图;第6图系沿第5图之线VI-VI所截取的剖面图;第7图系沿第5图之线VII-VII所截取的剖面图;第8A、8B、8C、和8D图系沿第5图之箭头a、b、c、和d的方向所视得之底视图;第9图系依据本发明之另一实施例之薄膜蒸镀装置之垂直剖面简图;而第10图系依据本发明之第六实施例之反应气体喷头之剖面 |
