| 主权项 |
1. 一种制造半导体装置之方法,此装置具有低接面电容与改良之电路速度,此方法包含以下步骤:于基体表面形成第一与第二场氧化物区域,此基体具有第一传导系数类型,其中该第一与第二场氧化物区域界定该基体之第一表面区域;于该第一氧化物区域上形成第一光阻区域,并于该基体第一表面区域之第一部分上延伸,此部分由该第一与该第二场氧化物区域界定;于该第二氧化物区域上形成第二光阻区域,并于该基体第一表面区域之第二部分上延伸,此部分由该第一与该第二场氧化物区域界定,其中该第一与第二光阻区域界定该基体之第二表面区域;将一选择之掺杂类型离子植入该基体之第二表面区域,其由该第一与第二光阻区域界定;去除该第一与第二光阻区域;于该基体之第二表面区域部分上形成闸结构;及于该基体中形成源极区域与泄极区域。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该形成闸结构之步骤,包含:于该基体之第二表面区域部分形成闸氧化物层;于该闸氧化物层上形成聚矽闸,其中该闸氧化物层与该聚矽闸具有大小;及于该聚矽闸之各边形成诸间隔物。3. 根据申请专利范围第2项之方法,其中该形成第一与第二光阻区域之步骤,其中该第一与第二光阻区域界定该基体之第二表面区域,包含形成该第一与第二光阻区域之步骤,以界定具大小为2之该第二表面区域。4. 根据申请专利范围第3项之方法,其中该形成源极区域与泄极区域之步骤,又包含于该闸结构下界定具长度为之通道。5. 根据申请专利范围第4项之方法,其中该植入步骤包含植入该第二表面区域,其由该第一与第二光阻区域界定,藉此大致限制该等植入离子在该闸结构下之该通道。6. 根据申请专利范围第5项之方法,其中该选择掺杂类型植入离子之步骤,包含选择诸离子之步骤以调整该半导体装置之临界电压,及改良该半导体装置之贯穿値。7. 根据申请专利范围第6项之方法,其中该基体之该第一传导系数类型系p,而该选择之掺杂类型系硼。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中该基体之该第一传导系数类型系n,而该选择之掺杂类型系砷或磷。9. 一种半导体装置,具有低接面电容与改良之电路速度,此装置包含:基体,具有第一传导系数类型;闸氧化物层,形成于该基体表面上;聚矽闸,形于该闸氧化物层上;源极与泄极区域,形成于该基体中,以界定该聚矽闸下该基体中之通道区域;第一选择掺杂类型之诸临界电压植入离子,植入该聚矽闸下该基体中之该通道区域;及第一选择掺杂类型之诸贯穿植入离子,植入该聚矽闸下该基体中之该通道区域。10. 根据申请专利范围第9项之装置,其中该闸与通道具有大小为,而该临界电压调整植入与贯穿植入离子被植入于该聚矽闸之下,加上于该聚矽闸各边上之选择距离。11. 根据申请专利范围第10项之装置,其中该选择距离为1/2。12. 根据申请专利范围第11项之装置,其中该第一传统系数类型系p,而该第一选择掺杂类型系硼。13. 根据申请专利范围第11项之装置,其中该第一传导系数类型系n,而该第一选择掺杂类型系砷或磷。图示简单说明:图1A-1C显示制造习用半导体装置之方法。图2A-2C显示根据本发明之半导体装置的制造法。图3表示n通道装置中Vclfn相对于Leff的图形,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图4表示p通道装置中Vclfn相对于Leff的图形,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图5表示n通道装置中[doff相对于[dseff的图形,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图6表示p通道装置[doff相对于[dseff的图形,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图7A-7G以图形表示来自七个不同n通道结构中的场电晶体资料,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图8A-8G以图形表示来自七个不同p通道结构中的场电晶体资料,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图9以图形表示7.2V时p通道场电晶体的[doff,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图10以图形表示7.2V时n通道场电晶体的[doff,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图11以图形表示n-二极体泄漏电流[D v V@ssD。图12以图形表示7.2V时的n@su+闸极二极体泄漏电流,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图13以图形表示7.2V时的p@su+闸极二极体泄漏电流,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图14以图形表示7.2V时的n@su+边缘二极体泄漏电流,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图15以图形表示7.2V时的p@su+边缘二极体泄漏电流,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图16以图形表示7.2V时的p@su+区泄漏电流,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图17以图形表示7.2V时的n@su+区泄漏电流,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图18是通道长度相对于延迟的图形,以显示供一控制群及根据本发明制造的群之値。图19以图形表示供2M(金属-2)SRAM用的功能模子数,以显 |
